[发明专利]一种形成导电功能图案的图形化方法与应用

说明书

技术领域

本发明属于透明导电材料领域，具体涉及一种形成导电功能图案的图形化方法与应用。

背景技术

传统的氧化铟锡（ITO）镀膜使用的铟材料价格昂贵，且作为一种稀有金属，铟的主要产地在中国，预计到2020年左右将耗尽。此外由于ITO材料比较脆弱，生产更大尺寸的导电电极成本将更高，也无法在需弯曲、变形、折叠的情况下使用，因此，目前各国都在纷纷大力研发各式新技术以及新产品，意欲代替ITO成为透明导电电极的新选择。从2009年这些技术虽然陆续进入试样阶段，但因其成本高、设备投资大以及图形化的缺陷等，始终无法实现工业化大规模生产，所以出货量极少。

近年来随着导电聚合物技术的发展，有机导电高分子聚合物开始被用来代替ITO。这是因为与ITO相比，有机导电高分子聚合物具有一系列的优势，例如，比ITO膜更加柔软，不容易产生微小裂缝，具有更长的使用寿命；可直接涂布在基材上，在空气中、且在具有比ITO更低的温度条件下成膜特性，具有更高的量产能力。另外，结合各种基材，可制备出柔性透明导电电极，实现弯曲、变形等，在更多领域应用。因此，有机导电高分子聚合物代替ITO作为透明导电电极材料，将引起电子行业变革式地发展。

但是，有机导电高分子聚合物在透明导电电极上大规模的推广使用仍然存在图形化的困难。比如：当使用激光对导电高分子聚合物进行烧蚀图形化时，由于对非线性图形加工效率的急剧降低，使得非线性图案的加工时间随之急剧增加，给大规模工业化生产带来了困难，且现有技术中图形化工艺步骤复杂，无疑进一步加大了工业化生产的难度。另外，实际应用中经蚀刻形成的图形不但导电稳定性差，且蚀刻形成的图形颜色色差大，如△E以及△Lab值较大，不符合生产要求，严重影响了视觉效果，造成产品缺陷，甚至无法使用。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种只需将导电层经屏蔽处理，并采用100-400nm波长的UV光照即可获得导电功能图案的形成导电功能图案的图形化方法。

本发明的另一目的是提供一种形成该导电功能图案的图形化方法的应用。

为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：

一种形成导电功能图案的图形化方法，包括如下步骤：

将导电高分子聚合物浆料涂布于基材表面，形成导电层，并对其进行固化处理；

将制备的图案模板屏蔽于所述导电层表面，形成遮盖层；

将设有遮盖层的所述导电层采用100-400nm波长的UV光进行照射处理，后移去所述遮盖层，得到导电功能图案。

以及，将上述形成导电功能图案的图形化方法应用于电容触摸屏、OLED显示器、电子标签以及EL冷光片中。

上述形成导电功能图案的图形化方法利用100-400nm波长下，导电高分子聚合物对UV光照的光敏特性，使未遮盖的导电高分子聚合物全部或部分失去导电性能，同时只需将导电层经屏蔽处理、UV光照即可获得导电功能图案，这样，不仅使得形成的导电功能图案的色差几乎完全消除，且光敏导电性能良好，经光敏蚀刻后导电性能稳定。同时，该方法制备工艺简单，条件易控，成本低廉，适于工业化生产。

上述形成导电功能图案的图形化方法可应用于电容触摸屏、OLED显示器、电子标签以及EL冷光片等方面，从而降低上述产品的色差及生产成本，简化了上述产品的制备工艺，进一步提高其导电稳定性及良品率。

附图说明

图1为本发明实施例的形成导电功能图案的图形化方法的工艺流程图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例与附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明的另一目的是提供一种形成导电功能图案的图形化方法的应用。

为了实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：

一种形成导电功能图案的图形化方法，其图形化方法的流程如图1所示，包括如下步骤：

S01.将导电高分子聚合物浆料涂布于基材表面，形成导电层，并对其进行固化处理；

S02.将制备的图案模板屏蔽于导电层表面，形成遮盖层；

S03.将设有遮盖层的导电层采用100-400nm波长的UV光进行照射处理，后移去遮盖层，得导电功能图案。