[发明专利]闪存及其相关程划方法

权利要求书

1.一种闪存，包含：

一程划电压产生器，于一检测周期时提供固定值的一程划电压，于一程划周期时提供动态调整的该程划电压；

多个存储单元，接收该程划电压并于多条数据线上产生多个漏极电流与多个数据线电压；

一限流单元，连接至该多条数据线，该限流单元接收一参考电流与一参考电压以控制该多个漏极电流；以及

一多位程划控制单元，连接至该多条数据线；其中，该多位程划控制单元于该检测周期时，检测出该多个数据线电压中的一特定数据线电压为最低值；并且，于该程划周期时，将该特定数据线电压作为一反馈电压传递至该程划电压产生器以产生动态调整的该程划电压。

2.根据权利要求1所述的闪存，其中该多位程划控制单元包括：

一最小临限电压检测器，于该检测周期时，接收该多个数据线电压并产生一切换信号；其中，该切换信号指示该特定数据线电压为最低值；以及

一反馈电压选择器，于该程划周期时，根据该切换信号，将该特定数据线电压作为该反馈电压。

3.根据权利要求2所述的闪存，其中该多位程划控制单元还包括：一程划完成检查单元，操作于该程划周期；其中，当该多个数据线电压皆大于一第一预设值且该程划电压高于一第二预设值时，产生一完成信号以通知该程划电压产生器以及该限流单元结束该程划周期。

4.根据权利要求3所述的闪存，其中该程划完成检查单元包括：

一第一比较电路，接收该多个数据线电压并且与一第三预设值进行比较；其中，当该多个数据线电压皆大于该第三预设值时，产生高电平的一检测过关信号；

一第二比较电路，接收该程划电压并且与一第四预设值进行比较；其中，当该程划电压大于该第四预设值时，产生高电平的一程划电压过关信号；

一延迟单元；以及

一与门，接收该检测过关信号与该程划电压过关信号并产生该完成信号经由该延迟单元输出该程划完成检查单元。

5.根据权利要求2所述的闪存，其中该最小临限电压检测器包括：

一赢者全拿电路，接收该多个数据线电压，并产生多个输出信号，其中该多个输出信号中的一第一输出信号对应于该第一数据线电压，且该第一输出信号的电压值小于其它该多个输出信号的电压值；以及

一比较器组，接收该多个输出信号并且与一第五预设值进行比较，以产生该切换信号；其中，该第五预设值大于该第一输出信号的电压值，小于该些其它输出信号的电压值。

6.根据权利要求5所述的闪存，其中该多位程划控制单元包括：

一反馈电压选择器，运作于于该程划周期；其中，该反馈电压选择器根据该切换信号开启一开关，使得该第一数据线电压经过该开关成为该反馈电压。

7.根据权利要求1所述的闪存，其中该程划电压产生器包括：

一第一开关，于该检测周期时为一闭路状态，并传递固定值的一初始电压作为该程划电压；

一放大器，具有一正输入端接该收该反馈电压，一负输入端接收该参考电压，与一输出端；以及

一第二开关，连接于该放大器的该输出端；其中，于该程划周期时，该第二开关为该闭路状态，以输出动态调整的该程划电压。

8.根据权利要求1所述的闪存，其中该些该存储单元中的每一存储单元包括：

一p型选择晶体管，具有一栅极连接至一选择电压，一源极连接至一电源电压，一漏极；以及

一p型储存晶体管，具有一栅极接收该程划电压，一源极连接至该p型选择晶体管的该漏极，一漏极连接至该多条数据线中对应的数据线；

其中，该p型储存晶体管具有一储存结构，且该选择电压于该检测周期与该程划周期时皆开启该p型选择晶体管。

9.根据权利要求1所述的闪存，其中该限流单元包含：

对应于该多条数据线的多个第一晶体管，每一该第一晶体管包含一漏极连接于对应的该多条数据线其中之一，该些第一晶体管的源极连接至一接地电压；

一第二晶体管，具有一漏极接收该参考电流，一源极连接至该接地电压；以及

一放大器，具有一第一输入端连接至该第二晶体管的该漏极，一第二输入端接收该参考电压，一输出端连接至该些第一晶体管的栅极以及该第二晶体管的栅极。