[发明专利]温敏探头及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310537508.0 申请日: 2013-11-04
公开(公告)号: CN103604521A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 范平;蔡兆坤;郑壮豪;陈天宝;梁广兴;张东平;罗景庭 申请(专利权)人: 深圳市彩煌实业发展有限公司;深圳大学
主分类号: G01K7/02 分类号: G01K7/02;H01L35/34
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 探头 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种温敏探头,其特征在于,包括连接端(1)、以及依次叠加为一体的P型热电偶层(2)、至少一第一柔性基底(3)和N型热电偶层(4),所述P型热电偶层(2)和所述N型热电偶层(4)的一端通过所述连接端(1)电连接形成PN结,所述P型热电偶层(2)和所述N型热电偶层(4)的另一端分别引出有电极,所述P型热电偶层(2)和所述N型热电偶层(4)可随至少一所述第一柔性基底(3)的弯曲变形而发生形变。

2.根据权利要求1所述的温敏探头,其特征在于,所述P型热电偶层(2)的厚度为1nm至5μm,所述N型热电偶层(4)的厚度为1nm至5μm,所述第一柔性基底(3)的厚度为0.01mm至1mm。

3.根据权利要求2所述的温敏探头,其特征在于,所述P型热电偶层(2)的两端边缘上分别设有第一导电层(6),所述N型热电偶层(4)的两端边缘上分别设有第二导电层(7),所述连接端(1)的一端与一所述第一导电层(6)连接、所述连接端(1)的另一端与同侧的一所述第二导电层(7)连接,另一所述第一导电层(6)为所述P型热电偶层(2)上的所述电极、另一所述第二导电层(7)为所述N型热电偶层(4)上的所述电极,两个所述电极上分别连接有导线(5)。

4.根据权利要求1所述的温敏探头,其特征在于,所述P型热电偶层(2)的外层面上和/或所述N型热电偶层(4)的外层面上还分别涂覆有用于绝缘保护的保护层(8)。

5.根据权利要求4所述的温敏探头,其特征在于,所述N型热电偶层(4)的外层面上设有第二柔性基底(9),所述P型热电偶层(2)的外层面上设置所述保护层(8);或者,所述P型热电偶层(2)的外层面上设置所述第二柔性基底(9),所述N型热电偶层(4)的外层面上设置所述保护层(8),所述保护层(8)包括SiO2绝缘保护层或Al2O3绝缘保护层。

6.一种温敏探头的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:在至少一第一柔性基底(3)的两个相对应两侧的表面上分别镀制P型热电偶层(2)和N型热电偶层(4);

S2:将所述P型热电偶层(2)和所述N型热电偶层(4)通过连接端(1)电连接;

S3:在所述P型热电偶层(2)和所述N型热电偶层(4)上分别引出电极。

7.根据权利要求6所述的温敏探头的制备方法,其特征在于,所述步骤S1包括:

所述第一柔性基底(3)的数量为一个,在所述第一柔性基底(3)的一表面上溅射沉积所述P型热电偶层(2);在所述第一柔性基底(3)的另一表面上溅射沉积所述N型热电偶层(4);

或者,所述第一柔性基底(3)的数量为两个,在第一个所述第一柔性基底(3)的一表面上溅射沉积所述P型热电偶层(2);在第二个所述第一柔性基底(3)的一表面上溅射沉积所述N型热电偶层(4);所述P型热电偶层(2)与第二个所述第一柔性基底(3)相叠加,或者所述N型热电偶层(4)与第一个所述第一柔性基底(3)相叠加,或者第一个所述第一柔性基底(3)和第二个所述第一柔性基底(3)相叠加;

所述P型热电偶层(2)的厚度为1nm至5μm,所述N型热电偶层(4)的厚度为1nm至5μm,所述第一柔性基底(3)的厚度为0.01mm至1mm。

8.根据权利要求7所述的温敏探头的制备方法,其特征在于,所述步骤S1和所述步骤S2之间还包括步骤S2.1:在所述P型热电偶层(2)的两端边缘上分别镀制第一导电层(6),在所述N型热电偶层(4)的两端边缘上分别镀制第二导电层(7)。

9.根据权利要求8所述的温敏探头的制备方法,其特征在于,

所述步骤S2包括:将所述连接端(1)的一端与一所述第一导电层(6)连接、将所述连接端(1)的另一端与同侧的一所述第二导电层(7)连接;

所述步骤S3包括:另一所述第一导电层(6)为所述P型热电偶层(2)上的所述电极、另一所述第二导电层(7)为所述N型热电偶层(4)上的所述电极,两个所述电极上分别连接导线(5)。

10.根据权利要求6所述的温敏探头的制备方法,其特征在于,所述步骤S3之后还包括步骤S4:在所述P型热电偶层(2)的外层面上和/或所述N型热电偶层(4)的外层面上还分别涂覆有用于绝缘保护的保护层(8),所述保护层(8)包括SiO2绝缘保护层或Al2O3绝缘保护层。

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