[发明专利]温敏探头及其制备方法有效
申请号: | 201310537508.0 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN103604521A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 范平;蔡兆坤;郑壮豪;陈天宝;梁广兴;张东平;罗景庭 | 申请(专利权)人: | 深圳市彩煌实业发展有限公司;深圳大学 |
主分类号: | G01K7/02 | 分类号: | G01K7/02;H01L35/34 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 蔡晓红 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探头 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及温度传感技术领域,更具体地说,涉及一种用于快速检测物体表面温度的温敏探头及其制备方法。
背景技术
在实际生产和生活中,对物体温度的测量,尤其是物体表面瞬间温度变化的测量显得十分重要。比如应用于笔记本电脑、手机以及电动汽车等各个领域的锂电池,当其出现故障时,温度会突然升高,会导致电池寿命缩减以致损坏,甚至会发生自燃、爆炸等意外事故。因此,在锂电池实际应用中,有必要采用温度传感器连接监控电路对电池温度进行快速监控管理,发生异常时实行报警和切断电源等。
目前市场上存在的普通温度传感器,包括铂电阻传感器和热电偶传感器,都存在体积大、耗材多、热容量大、响应速度慢等问题。而现有的薄膜传感器,包括薄膜热电阻和薄膜热电偶,对于薄膜传感器尤其是薄膜热电偶的研究过程中发现,存在以下问题:薄膜热电偶的灵敏度偏低;采用AlN、Al2O3陶瓷作为基底,不利于曲面或者可变形表面的温度探测;AlN、Al2O3等陶瓷基底的温度传感器在受到冲击力时易碎,同时,由于热膨胀系数的差别,传感器材料薄膜与基底在测温时出现附着力变差和易脱落等现象。因此温度传感器尚需进一步的开发和完善。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种温敏探头及其制备方法,此方法制备技术简单、生产效率高,制备出的温敏探头灵敏度高、响应快、寿命长,具有非常高的应用前景和实用价值。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种温敏探头,包括连接端、以及依次叠加为一体的P型热电偶层、至少一第一柔性基底和N型热电偶层,所述P型热电偶层和所述N型热电偶层的一端通过所述连接端电连接形成PN结,所述P型热电偶层和所述N型热电偶层的另一端分别引出有电极,所述P型热电偶层和所述N型热电偶层可随至少一所述第一柔性基底的弯曲变形而发生形变。
在本发明所述的温敏探头中,所述P型热电偶层的厚度为1nm至5μm,所述N型热电偶层的厚度为1nm至5μm,所述第一柔性基底的厚度为0.01mm至1mm。
在本发明所述的温敏探头中,所述P型热电偶层的两端边缘上分别设有第一导电层,所述N型热电偶层的两端边缘上分别设有第二导电层,所述连接端的一端与一所述第一导电层连接、所述连接端的另一端与同侧的一所述第二导电层连接,另一所述第一导电层为所述P型热电偶层上的所述电极、另一所述第二导电层为所述N型热电偶层上的所述电极,两个所述电极上分别连接有导线。
在本发明所述的温敏探头中,所述P型热电偶层的外层面上和/或所述N型热电偶层的外层面上还分别涂覆有用于绝缘保护的保护层。
在本发明所述的温敏探头中,所述N型热电偶层的外层面上还设有第二柔性基底,所述P型热电偶层的外层面上设置所述保护层;或者,所述P型热电偶层的外层面上设置所述第二柔性基底,所述N型热电偶层的外层面上设置所述保护层,所述保护层包括SiO2绝缘保护层或Al2O3绝缘保护层。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:还构造一种温敏探头的制备方法,包括以下步骤:
S1:在至少一第一柔性基底的两个相对应两侧的表面上分别镀制P型热电偶层和N型热电偶层;
S2:将所述P型热电偶层和所述N型热电偶层通过连接端电连接;
S3:在所述P型热电偶层和所述N型热电偶层上分别引出电极。
在本发明所述的温敏探头的制备方法中,所述步骤S1包括:
所述第一柔性基底的数量为一个,在所述第一柔性基底的一表面上溅射沉积所述P型热电偶层;在所述第一柔性基底的另一表面上溅射沉积所述N型热电偶层;
或者,所述第一柔性基底的数量为两个,在第一个所述第一柔性基底的一表面上溅射沉积所述P型热电偶层;在第二个所述第一柔性基底的一表面上溅射沉积所述N型热电偶层;所述P型热电偶层与第二个所述第一柔性基底相叠加,或者所述N型热电偶层与第一个所述第一柔性基底相叠加,或者第一个所述第一柔性基底和第二个所述第一柔性基底相叠加;
所述P型热电偶层的厚度为1nm至5μm,所述N型热电偶层的厚度为1nm至5μm,所述第一柔性基底的厚度为0.01mm至1mm。
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