[发明专利]监控生产工艺的方法及生产工艺监控装置有效
申请号: | 201310537592.6 | 申请日: | 2013-11-04 |
公开(公告)号: | CN103972123B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 丁荣载 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 薛义丹,刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监控 生产工艺 方法 装置 | ||
本申请要求于2013年1月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2013-0009698号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的内容通过引用完全包含于此。
技术领域
实施例涉及一种监控生产工艺的方法及一种生产工艺监控装置。
背景技术
通常,在半导体和/或具有半导体的装置(例如,显示装置)的生产工艺中,可以利用等离子体蚀刻工艺消除在硅基板上形成图案的特定材料。
发明内容
根据一些示例实施例,一种监控生产工艺的方法可以包括:通过使用测量装置分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据的步骤,当生产工艺装置中的等离子体气体从对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光;基于测量数据产生补偿值的步骤,所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量装置的污染或测量装置的测量位置导致的灵敏度的变化而产生;基于补偿值监控生产工艺的步骤。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括基于测量数据的平均值和标准偏差产生补偿值的步骤。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括将补偿值确定为归一化值的步骤,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于预设波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括将补偿值确定为归一化值的步骤,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于整个波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
在示例实施例中,监控生产工艺的步骤可以包括基于补偿值执行端点检测操作的步骤。
在示例实施例中,监控生产工艺的步骤可以包括基于补偿值对生产工艺装置执行泄漏检测操作。
根据一些示例实施例,一种监控生产工艺的方法可以包括:通过将生产工艺装置中的气体注入使气体转变为等离子体气体的产生装置来产生等离子体气体的步骤;通过使用测量装置分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据的步骤,当等离子体气体从对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光;基于测量数据产生补偿值的步骤,所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量装置的污染或测量装置的测量位置导致的灵敏度的变化而产生;基于补偿值监控生产工艺的步骤。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括基于测量数据的平均值和标准偏差产生补偿值的步骤。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括将补偿值确定为归一化值的步骤,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于预设波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
在示例实施例中,产生补偿值的步骤可以包括将补偿值确定为归一化值的步骤,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于整个波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
在示例实施例中,监控生产工艺的步骤可以包括基于补偿值执行端点检测操作的步骤。
在示例实施例中,监控生产工艺的步骤可以包括基于补偿值对生产工艺装置执行泄漏检测操作。
根据一些示例实施例,一种生产工艺监控装置可以包括:测量单元,通过分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据,当生产工艺装置中的等离子体气体从对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光;控制单元,基于测量数据产生补偿值并基于补偿值监控生产工艺,所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量单元的污染或测量单元的测量位置导致的灵敏度的变化而产生。
在示例实施例中,生产工艺监控装置还可以包括显示从控制单元输出的监控结果的输出单元。
在示例实施例中,控制单元可以将补偿值确定为归一化值,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于预设波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
在示例实施例中,控制单元可以将补偿值确定为归一化值,所述归一化值通过基于等离子体发射光关于整个波段的发射强度的平均值和标准偏差将等离子体发射光的发射强度归一化而产生。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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