[发明专利]覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310541228.7 申请日: 2013-11-05
公开(公告)号: CN103811645A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 近藤隆;片山博之 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/48
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 覆盖 荧光 半导体 元件 及其 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,

该制造方法具有:

使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,

调整工序,通过调整上述荧光体层的厚度,从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调。

2.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,

上述调整工序具有将相对的上述荧光体层及上述光半导体元件中的至少一者向上述荧光体层和上述光半导体元件互相接近的方向按压的按压工序。

3.根据权利要求2所述的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,

上述荧光体层由热固化性树脂形成,

在上述按压工序中,加热由上述热固化性树脂形成的上述荧光体层,使其热固化。

4.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,

该制造方法还具有:

检量线准备工序,其具有第1测量工序和第2测量工序,在上述第1测量工序中,对当使与上述荧光体层相同的第1标准荧光体层与上述光半导体元件相对时的上述第1标准荧光体层的厚度和从上述光半导体元件发出并经过上述第1标准荧光体层射出的光的色调进行测量,在上述第2测量工序中,对当使与上述荧光体层相同的第2标准荧光体层以其厚度与上述第1标准荧光体层的厚度不同的方式与上述光半导体元件相对时的上述第2标准荧光体层的厚度和从上述光半导体元件发出并经过上述第2标准荧光体层射出的光的色调进行测量;

检量线生成工序,基于由上述检量线准备工序得到的厚度及光的色调而生成检量线,

在上述调整工序中,基于上述检量线,求出上述荧光体层的与目标色调相对应的厚度,然后,以达到上述与目标色调相对应的厚度的方式调整上述荧光体层的厚度。

5.根据权利要求4所述的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法,其特征在于,

上述检量线准备工序还具有第3测量工序,在该第3测量工序中,对当使与上述荧光体层相同的第3标准荧光体层以其厚度与上述第1标准荧光体层的厚度及上述第2标准荧光体层的厚度不同的方式与上述光半导体元件相对时的上述第3标准荧光体层的厚度和从上述光半导体元件发出并经过上述第3标准荧光体层射出的光的色调进行测量。

6.一种覆盖有荧光体层的光半导体元件,其特征在于,

该覆盖有荧光体层的光半导体元件由下述覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法得到,

该覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法具有:

使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,

调整工序,通过调整上述荧光体层的厚度,从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调。

7.一种光半导体装置的制造方法,其特征在于,

该光半导体装置的制造方法具有准备工序和安装工序,

在上述准备工序中,准备由下述覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法得到的覆盖有荧光体层的光半导体元件,

该覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法具有:

使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,

调整工序,通过调整上述荧光体层的厚度,从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调;

在上述安装工序中,将上述覆盖有荧光体层的光半导体元件安装于基板。

8.一种光半导体装置的制造方法,其特征在于,

该光半导体装置的制造方法具有:

安装工序,预先将光半导体元件安装于基板;

使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序;以及,

调整工序,通过调整上述荧光体层的厚度,从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调。

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