[发明专利]覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法，具体而言，涉及适合用于光学用途的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法，由此得到的覆盖有荧光体层的光半导体元件，使用该光半导体元件的光半导体装置的制造方法，以及，由此得到的光半导体装置。 

背景技术

光半导体元件通过从一个晶圆切出多个而得到，将光半导体元件安装于基板，之后，由荧光体层覆盖，从而制造出光半导体装置。 

作为使用光半导体元件来得到半导体装置的方法，例如，提出了以下的方法（例如，参照日本特开2007-123915号公报）。 

也就是，测量从晶圆切出的多个LED的放射光的主波长（在发光光谱中添加可见度曲线而得到的主波长），根据主波长的范围分类，具体而言，分类为440nm到445nm、445nm到450nm、450nm到455nm、455nm到460nm这样的组，将各组的LED分别安装于基板。另外，预先准备多个以与主波长相对应的浓度含有荧光体的荧光体片。然后，将与各组的主波长相对应的荧光体浓度的荧光体片堆叠于基板及LED。其后，通过加热使其固化。 

在日本特开2007-123915号公报中，将与LED的主波长相对应的荧光体浓度的荧光体片堆叠于所对应的LED，从而得到期望的色调（期望的白色色调）。 

但是，在日本特开2007-123915号公报的方法中，需要与主波长不同的LED相对应地预先准备荧光体的浓度不同的多个种类的 荧光体片，相应地，有工时增加这样的问题。 

并且，因为要决定与各主波长相对应的荧光体浓度，所以也有比较繁杂这样的问题。 

发明内容

本发明的目的是提供一种覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法、由该制造方法得到的覆盖有荧光体层的光半导体元件、使用该光半导体元件的光半导体装置的制造方法、以及由该制造方法得到的光半导体装置，采用该覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法，即使多个光半导体元件的主波长不相同，也不需要准备荧光体的浓度不同的多个种类的荧光体层，并且，能够简单地形成与目标色调相对应的荧光体层。 

本发明的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制作方法的特征在于，具有：使含有荧光体的荧光体层与光半导体元件相对的工序；以及，调整工序，通过调整上述荧光体层的厚度，从而调整从上述光半导体元件发出并经过上述荧光体层射出的光的色调（日文：色味）。 

该方法具有以下调整工序：通过调整荧光体层的厚度，从而调整从光半导体元件发出并经过荧光体层射出的光的色调。因此，能够利用调整荧光体层的厚度的简单的方法，以与目标色调相对应的方式调整荧光体层的每单位面积的荧光体的质量份数，具体而言，调整荧光体层的荧光体的基重。因此，不需要像日本特开2007-123915号公报那样，预先准备荧光体的浓度不同的多个荧光体层，并在其中选择具有与光半导体元件的主波长相对应的荧光体的浓度的荧光体层。因而，利用调整荧光体层的厚度这样简便的调整工序，能够使覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法简化。 

其结果是，能够以良好的成品率形成具有与目标色调相对应的 厚度的荧光体层，能够制造发光效率好的覆盖有荧光体层的光半导体元件。 

另外，对于本发明的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制作方法，优选为，上述调整工序具有将相对的上述荧光体层及上述光半导体元件中至少一者向上述荧光体层和上述光半导体元件互相接近的方向按压的按压工序。 

对于该方法，由于调整工序具有将相对的荧光体层及光半导体元件中至少一者向荧光体层和光半导体元件互相接近的方向按压的按压工序，因此能够进一步简便地调整荧光体层的荧光体的基重。 

另外，对于本发明的覆盖有荧光体层的光半导体元件的制造方法，优选为，上述荧光体层由热固化性树脂形成，在上述按压工序中，加热由上述热固化性树脂形成的上述荧光体层，使其热固化。 

对于该方法，利用按压工序使荧光体层热固化，因此能够将荧光体层的厚度调整成与目标色调相对应的厚度，并且能够利用荧光体层密封光半导体元件。