[发明专利]压电装置在审
申请号: | 201310542595.9 | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN103825572A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 有路巧;中武裕允;高桥岳宽 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/125 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;张洋 |
地址: | 日本东京涉谷区笹*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 装置 | ||
1.一种压电装置,其特征在于包括:
压电振动片,具有:包围振动部的框部,且在所述框部具备与设置于所述振动部的激振电极电连接的引出电极;
盖部,经由接合材料而接合于所述压电振动片的表面;以及
底部,经由接合材料而接合于所述压电振动片的背面,且所述底部具备与所述引出电极电连接的外部电极,
其中,所述激振电极及所述引出电极包括:由能够形成钝态的金属所形成的基底膜,以及积层于所述基底膜的第一金属膜及第二金属膜,
所述基底膜将其膜厚设定为1.0nm~8.0nm。
2.根据权利要求1所述的压电装置,其特征在于:
所述基底膜将其膜厚设定为3.0nm~7.5nm。
3.根据权利要求1或2所述的压电装置,其特征在于:
所述激振电极及所述引出电极,是按照所述基底膜、所述第一金属膜、所述第二金属膜的顺序进行积层,
所述第一金属膜为:抑制所述基底膜的金属原子向所述第二金属膜进行扩散的阻挡膜,且
所述第一金属膜的膜厚设定为0.5nm~12.5nm。
4.根据权利要求3所述的压电装置,其特征在于:
所述第一金属膜将其膜厚设定为2.5nm~10.0nm。
5.根据权利要求1所述的压电装置,其特征在于:
所述引出电极是与所述框部的外周缘隔开而形成。
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