[发明专利]加热硅料的坩埚无效
申请号: | 201310543197.9 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103556232A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 刘耀峰;潘振东 | 申请(专利权)人: | 无锡荣能半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 高玉滨 |
地址: | 214183 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 坩埚 | ||
技术领域
本发明涉及硅片加工技术领域,尤其是一种加热硅料的坩埚。
背景技术
在硅片加工过程中,需要将固体硅片原料堆入坩埚进行加热处理,片状的物料在坩埚中互相叠层,会用缝隙,所以每次投入相对的满料之后,经过加热融化之后,搭联的缝隙会被液体充满,液面会低于坩埚的最大刻度线,这就导致现有坩埚投料量为520kg,周期时间为83小时左右,单公斤硅料用电量11度,平均成品率为65%左右,导致成品子锭减少,辅料增加。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提出一种加热硅料的坩埚,投料量大,周期短。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:一种加热硅料的坩埚,包括坩埚体和护套,该护套设在该坩埚体的上边缘处。
进一步地,该护套为圆筒状,架设在该坩埚体的上边缘上。
进一步地,该护套的内径小于该坩埚体的开口内径。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:在传统坩埚上边缘增加了一个保护套,片状硅料的投入量会相比之前加大,融化之后,也会达到坩埚的允许最大刻度线。投料量增加-投料量相对加大25%;硅锭质量提高-可提高3%以上;降低能耗-相对单公斤硅料耗电量下降25%;少子寿命-红边区减少,整体少子寿命提高。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为图1的局部放大图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
如图1和2所示的一种加热硅料的坩埚,包括坩埚体1和护套2,该护套2设在该坩埚体1的上边缘处。该护套2为圆筒状,架设在该坩埚体1的上边缘上。该护套2的内径小于该坩埚体1的开口内径。
增加陶瓷坩埚护套,使投料量增至650kg,单炉工艺周期时间为85小时左右;单公斤用电量在9度,因投料量增加至成品率高达69%以上,成品子锭有效长度增加,辅料减少,使整体生产成本降低。投料量增加-投料量相对加大25%;硅锭质量提高-可提高3%以上;降低能耗-相对单公斤硅料耗电量下降25%;少子寿命-红边区减少,整体少子寿命提高。
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