[发明专利]一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件材料制备技术，尤其是涉及一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台，可应用于各种新型薄膜材料的制备。

背景技术

化学气相沉积（Chemical vapor deposition，简称CVD）是一种广泛应用于新型薄膜材料、尤其是半导体器件材料制备的材料制备方法。由于CVD制备材料时参与反应的气体分子或者离子需要根据不同工艺沉积在一定温度的基片上，因此一些CVD系统配备有可自行加热基片的沉积台。

在使用CVD系统制备材料时，高温促使气体之间发生反应是一个重要手段。一般加热式沉积台可以加热基片至700℃左右，能够满足一部分材料制备所需的反应条件。然而很多材料例如一些氧化物薄膜的制备需要700℃～1000℃的反应温度，这时一般的加热式沉积台难以满足要求。这是因为沉积台的加热装置通常由电阻式发热器件供热，实际应用过程中存在一系列问题。由于发热体材料在高温下容易发生形变，会引起加热温度的不均匀；而为发热体加装绝缘体支撑件来改善其高温强度又会引起散热问题，造成发热体在高温段容易自熔断；另外发热体与反应气体接触容易氧化腐蚀，沉积台从发热体获得热量的效率也不高。这些问题限制了加热式沉积台的应用价值，也使一般加热时沉积台难以在700℃～1000℃

温度段稳定工作。

针对CVD系统加热式沉积台的这些问题，国内外许多专家和技术人员提出了很多设计方案，以改善沉积台的加热效率与稳定性和提高温度范围。美国专利US8461490B2采用密封加热装置来保证发热件的稳定性，并提高沉积台边缘的加热功率使得整个沉积台温度均匀；欧洲专利EP1359610B1使用两种不同热导率的材料复合构成沉积台台面，以降低垂直方向的温度梯度，使加热更均匀；美国专利US5911896采用两块陶瓷面板夹持发热体的设计，一定程度上增强了了发热体材料的高温强度和稳定性；而美国专利US20070275178更是独到地使用流动的甘油作为发热体材料的散热载体并帮助其避免氧化腐蚀。这些创新设计都对沉积台的加热效果和效率起到了积极的作用，但是可以实现的有效温度并没有超过800℃，而且稳定性仍然不理想。为实现更加高效稳定的沉积台加热，突破700℃～1000℃

的缺口，为此，需要一种具有新的加热装置的沉积台。

发明内容

本发明的目的是提出一种新型的高温加热沉积台，进一步提高沉积台的加热效率和稳定性，并突破700℃～1000℃高温加热的技术缺口。

为了实现本发明的目的，提出以下技术方案：

一种用于化学气相沉积的高温加热沉积台，其特征在于：所述高温加热沉积台包括沉积台台面2、沉积台基座1和内部发热装置，其中，

沉积台台面2构成上层结构，沉积台基座1支撑了整个沉积台以及内部发热装置，所述沉积台基座1和沉积台台面2构成封装，将所述发热装置密封在内部；

所述内部发热装置包括发热部件和支撑部件，所述发热部件由发热体电极3和发热体5构成；所述支撑部件由发热体支撑托盘4和陶瓷柱阵列8构成。对发热体5形成支撑。

所述沉积台台面2的内表面镀覆的一层氧化铬镀层9，成为热辐射吸收面。

所述氧化铬镀层9为黑体系数0.8，100nm厚的氧化铬薄膜。

所述发热体5呈蛇形布局，两端为发热体电极3。

所述发热体5为熔点为1400℃的镍铬合金Ni80Cr20。

所述发热体支撑托盘4和陶瓷柱阵列8是由95瓷制成。

所述沉积台台面2和发热体5表面分别设置沉积台测温电偶6和发热体测温电偶7，对沉积台台面2和发热体5直接进行温度监控。

所述沉积台测温电偶6 为4-6个，分别均匀间隔设置在沉积台台面2的表面。

本发明的有益效果

（1）  沉积台的发热体不与反应气体接触，不容易氧化腐蚀；

（2）  发热体不易变形，散热效率较高，加热均匀；

（3）  沉积台台面吸热效率高，升温快速、均匀；

（4）  可在700℃～1000℃的高温段持续稳定工作。

附图说明

图1为高温加热沉积台的正面示意图；

图2为高温加热沉积台的俯视图。

其中，

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合附图和具体实施例，对本发明进一步详细说明。