[发明专利]一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备。

背景技术

现有的利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备其结构相对比较复杂，生产成本高。故有必要提供一种结构简单，投入成本低的利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，以满足需求。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备。

为了达到上述目的，本发明采用以下方案：

一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室内设有基片安装座，在所述真空室内部与基片安装座对应的位置上设有石英玻璃，在所述真空室上与石英玻璃对应的位置上设有汞灯，在所述真空室上连接有氩气进气管，在所述真空室外设有汞源，所述的汞源通过连接管与真空室相连接，在所述汞源上设有SiH4进气管。

如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述基片安装座内设有基片加热器。

如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的氩气进气管上设有气阀。

如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述的设有SiH4进气管上设有气阀。

如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于SiH4进气管与氩气进气管相互连通。

如上所述的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，其特征在于在所述汞源底部设有加热装置。

综上所述，本发明相对于现有技术其有益效果是：

本发明产品结构简单，生产成本相对较低。

附图说明

图1为本发明的示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步描述：

如图1所示的一种利用光化学气相沉积制备α_SiH膜的设备，包括有真空室1，在所述真空室1内设有基片安装座2，基片12放置在所述基片安装座2上，在所述真空室1内部与基片安装座2对应的位置上设有石英玻璃3，在所述真空室1上与石英玻璃3对应的位置上设有汞灯4，在所述真空室1上连接有氩气进气管5，在所述真空室1外设有汞源6，所述的汞源6通过连接管7与真空室1相连接，在所述汞源6上设有SiH4进气管8。

本发明中在所述基片安装座2内设有基片加热器9。在所述的氩气进气管5上设有气阀10。在所述的设有SiH4进气管8上设有气阀10。所述SiH4进气管8与氩气进气管5相互连通。本发明中在所述汞源6底部设有加热装置。

利用本发明装置制备无掺杂α_SiH膜是一种光化学气相沉积的过程。反应的方程式：

Hg⁺+SiH₄-----Hg+2H₂+Si

Ar气作为携载气体将SiH₄气体引入到真空室中，使用的低压汞灯共振线分别为2537nm及185nm，低压氧化油涂在石英窗内表面上，以防止薄膜沉积在窗口上，便于清洁。

汞蒸气引入到反应室中，基片温度为200～360度。通过优化汞源温度20～200摄氏度和气体流速SiH₄：Ar=1～28:100～750SCCM可获得4.63nm/min的沉积率。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。