[发明专利]低功率保护电路

说明书

技术领域

本发明主要是有关于一种保护电路，且特别是有关于一种低功率保护电路。

背景技术

随着现今科技的快速发展，现在的电子产品普遍运用半导体存储器。传统的动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）使用双操作电压。为了让动态随机存取存储器运作正常，会使用具有较低电压电平的第二操作电压，而使用具有较高电压电平的第一操作电压可以使动态随机存取存储器的电压泵电路更有效率地运作。

请参考图1，图1为传统动态随机存取存储器DRAM的波形图。在时间周期T0期间，操作电压VDD1与VDD2上升，而且操作电压VDD1较快达到第一稳定电压电平。当操作电压VDD1达到第一稳定电压电平而且第二操作电压VDD2无法达到第二稳定电压电平，由电压泵电路产生的泵输出电压VCCP可能会失控（因为太高）。在时间周期T0结束后与在时间周期T2期间，第一与第二操作电压VDD1与VDD2下降，而且第二操作电压VDD2较快减少。当第一操作电压VDD1维持在第一稳定电压电平而且第二操作电压VDD2减少到非常低的状态，由电压泵电路产生的泵输出电压VCCP可能失控。

发明内容

本发明提供一种低功率保护电路，可适用于具有双操作电压的动态随机存取记忆体（DRAM）的电压泵电路，用以避免动态随机存取存储器（DRAM）的电压泵电路发生失控状况。

本发明提供一种低功率保护电路，包括第一电压检测器，脉冲产生电路，SR锁存器，以及输出逻辑操作电路。低功率保护电路适用于具有双操作电压的动态随机存取存储器（DRAM）。第一电压检测器接收电压启动信号并通过检测电压启动信号的电压电平而产生高压泵致能信号。脉冲产生电路接收电压启动信号并根据电压启动信号而产生电压启动脉冲。SR锁存器具有设定端、第一与第二重置端与输出端。SR锁存器的设定端接收所述电压启动脉冲，SR锁存器的第一与第二重置端依序接收所述高压泵致能信号与反向电压启动信号，SR锁存器的输出端产生输出信号。第二电压检测器接收输出信号并通过检测输出信号的电压电平而产生低压泵致能信号。输出逻辑操作电路接收低压泵致能信号与高压泵致能信号，并根据低压泵致能信号与高压泵致能信号而产生泵致能信号，其中泵致能信号用于致能或禁能动态随机存取存储器（DRAM）的电压泵电路的电压操作。

因此，低功率保护电路提供第一与第二电压检测器，用以检测双操作电压的电压电平。低功率保护电路根据从第一与第二电压检测器所检测到的结果而产生泵致能信号。如此一来，动态随机存取存储器（DRAM）的电压泵电路根据第一与第二操作电压的变化而得到控制，而且电压泵电路不会失控。

请了解，上述的概念与以下的细节描述是示范性，而且是为了本发明申请范围提供进一步的解释。

附图说明

以下将以图示提供对本发明的进一步的了解，并且将图示合并并且构成本说明书的一部分。图示示出本发明的示范实施例，并配合描述以解释本发明的原理。

图1为传统DRAM的波形图；

图2A为根据本发明一实施例的低功率保护电路的方块流程图；

图2B为根据图2A的实施例的低功率保护电路的波形图；

图3为根据本发明另一实施例的低功率保护电路的电路图；

图4为根据本发明另一实施例的该低功率保护电路的电路图。

附图标记说明：

200：低功率保护电路；

210：电压检测器；

220：输出逻辑操作电路；

230：脉冲产生电路；

240：SR锁存器；

250：电压检测器；

290：电压泵电路；

310：电压检测器；

320：输出逻辑操作电路；

330：脉冲产生电路；

340：SR锁存器；

350：电压检测器；

370：电压电平转换器；

380：逻辑操作电路；

PWUP：电压启动信号；

HVPEN：高压泵致能信号；

PUP：电压启动脉冲；

OS：输出信号；

LVPEN：低压泵致能信号；

PMPEN：泵致能信号；

VCCP：泵出电压；

T0～T2：时间周期；

VDD1、VDD2：操作电压；

NO1～NO3：或非门；

IV11～IV4：非门；