[发明专利]半导体装置制造用薄膜卷

说明书

本申请是申请日为2009年11月24日、申请号为200980147958.0的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及在半导体装置的制造方法中使用的切割/芯片接合薄膜等半导体装置制造用薄膜卷绕为卷筒状而得到的半导体装置制造用薄膜卷。

背景技术

形成有电路图案的半导体晶片，根据需要通过背面研磨调节厚度，然后切割为半导体芯片(切割工序)。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(芯片粘贴工序)后，转移到接合工序。所述芯片粘贴工序中，过去将胶粘剂涂布到引线框或半导体芯片上来进行。但是，该方法难以实现胶粘剂层的均匀化，并且胶粘剂的涂布需要特殊装置或长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且也提供安装工序所需要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参考专利文献1)。

专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上依次层叠有粘合剂层和胶粘剂层，该胶粘剂层以可以剥离的方式设置。即，在胶粘剂层的保持下将半导体晶片切割后，拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别进行回收后通过其胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。

对于这种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，期望对半导体晶片具而良好的保持力使得不产生不能切割或者尺寸误差等问题、以及能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好的剥离性。但是，这两种特性的平衡并不容易。

另一方面，伴随半导体装置的薄型化、小型化，半导体芯片的厚度从以往的200μm薄层化至100μm以下。使用100μm以下的半导体芯片制造半导体装置时，从保护芯片的观点考虑，增加了将热塑性树脂和热固性树脂组合使用的胶粘剂层的使用(例如，参见下述专利文献2和专利文献3)。

具备这样的胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜，在其使用前以卷绕到卷芯上的卷筒形态保存。切割/芯片接合薄膜的卷绕通过将应卷绕的切割/芯片接合薄膜的开始卷绕的边缘胶粘到卷芯上，并将该卷芯沿卷绕方向旋转来进行。此时，卷绕张力弱时，胶粘片发生变形或者产生皱褶，并且卷筒端面变得杂乱。因此，为了以卷筒端面对齐的方式将切割/芯片接合薄膜卷绕，在施加规定以上的张力的同时进行卷绕。

但是，以使卷筒端面对齐的强张力卷绕时，在卷筒的中心方向上应力集中，结果例如在其边缘部以及在其上卷绕的切割/芯片接合薄膜上产生卷痕(巻き痕)。对这样的切割/芯片接合薄膜安装厚度100μm以下的半导体晶片时，该半导体晶片存在由于薄膜的卷痕而产生高差的问题。另外，切割半导体晶片得到半导体芯片，并将该半导体芯片通过胶粘剂层粘贴到被粘物上时，带卷痕的胶粘剂层不能对半导体芯片或被粘物充分地密合，因此不能发挥充分的胶粘力。结果，存在半导体芯片从被粘物上脱落的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

专利文献2：日本特开2002-261233号公报

专利文献3：日本特开2000-104040号公报

发明内容

本发明为了解决所述问题而创立，其目的在于提供在卷绕为卷筒状的切割/芯片接合薄膜等半导体装置制造用薄膜上减少卷痕的产生，并且密合性和胶粘性优良的半导体装置制造用薄膜卷。

本申请发明人等为了解决所述问题对半导体装置制造用薄膜卷进行了研究。结果发现，通过将用于卷绕半导体装置制造用薄膜的卷芯的直径控制为规定的大小，可以在该薄膜上不产生卷痕的情况下卷绕为卷筒状，由此完成了本发明。

即，为了解决所述课题，本发明的半导体装置制造用薄膜卷，通过将半导体装置制造用薄膜以卷筒状卷绕在圆柱状的卷芯上而得到，其特征在于，所述卷芯的直径在7.5cm～15.5cm的范围内。

在将半导体装置制造用薄膜(以下有时称为“薄膜”)卷绕到卷芯上的过程中，为了防止该薄膜因变形而产生皱褶或者卷筒端面变得杂乱，对薄膜施加规定以上的张力的同时进行卷绕。在这样的状态下卷绕到卷芯上的薄膜中，沿中心方向应力集中。本发明中，通过将卷芯的直径设定为7.5cm以上，增大对卷绕薄膜的接触面积由此减少单位面积上施加的压力，由此可以缓和应力集中。结果，即使薄膜卷在长时间卷绕在卷芯上的状态下保存，也可以防止例如在薄膜的边缘部上卷绕的薄膜上产生卷痕。另外，之所以将卷芯的直径调节为15.5cm以下，是为了防止由于半导体装置制造用薄膜卷的直径变得过大而使操作性变差。