[发明专利]一种粗化表面的透明电容无效
申请号: | 201310553583.6 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN103594456A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 张翠 | 申请(专利权)人: | 溧阳市江大技术转移中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 透明 电容 | ||
1.一种粗化表面的透明电容,包括:
第一透明电极,其用作透明电容的下电极;
位于第一透明电极上的透明绝缘介质层,其用作透明电容的电荷存储部;以及
位于透明绝缘介质层上的第二透明电极,其用作透明电容的上电极,其中
第一透明电极和第二透明电极与透明绝缘介质层之间的接触表面是粗化表面。
2.根据权利要求1所述的粗化表面的透明电容,其中:
第一透明电极和第二透明电极的材料是具有透明导电性的材料,例如TCO,且TCO是ITO、ZnO、SnO2、FTO、ATO、AZO中的一种或多种或上述材料的复合薄膜,而且透明绝缘介质层的材料包括:透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜(PET)、透明聚苯硫醚薄膜(PPS)、透明聚碳酸酯薄膜(PC)、透明聚苯亚甲萘薄膜(PEN)、透明聚偏二氟乙烯薄膜(PVPF)或上述材料的复合膜,且第一透明电极和第二透明电极以及透明绝缘介质层的厚度小于等于3μm,优选0.3μm-3μm,更优选1μm-2.6μm,更优选1.2μm-2.2μm,更优选1.45-1.75μm。
3.根据权利要求2所述的粗化表面的透明电容,其中粗化表面如下构成:
将含镍纳米粒子分散液旋涂在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面,从而形成单层镍纳米粒子薄膜;
对单层镍纳米粒子薄膜进行烘干,形成ICP刻蚀所需的单层镍纳米粒子的掩模层;
利用单层镍纳米粒子的掩模层对第一透明电极和第二透明电极进行ICP刻蚀,从而在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面形成粗化表面;
去除单层镍纳米粒子的掩模层。
4.根据权利要求2所述的粗化表面的透明电容,其中粗化表面如下构成:
在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面分别排列单层自组装聚苯乙烯颗粒,并在单层自组装聚苯乙烯颗粒的间隙之间填充二氧化硅凝胶;
对单层自组装聚苯乙烯颗粒进行加热,从而使单层自组装聚苯乙烯颗粒气化,形成二氧化硅凹凸图案;
利用二氧化硅凹凸图案对第一透明电极和第二透明电极进行ICP刻蚀,从而将凹凸图案转移到在第一透明电极的上表面以及第二透明电极的下表面,从而形成粗化表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳市江大技术转移中心有限公司,未经溧阳市江大技术转移中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310553583.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:位置感知认证
- 下一篇:一种多功能远程I/O端口控制服务器及其设计方法