[发明专利]一种粗化表面的透明电容

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种粗化表面的透明电容。

背景技术

在显示领域，特别是有源矩阵显示面板领域，有源矩阵显示面板包括用于驱动像素单元的薄膜晶体管，位于薄膜晶体管上的像素电极以及电连接像素电极的存储电容器。存储电容器用于存储电荷，通常包括电容下电极、电容上电极以及两者之间的绝缘介质。在有源矩阵显示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶体管，例如ZnO等材料，这样可以提高显示面板的整体透明度，提高光取出效率，而用于存储电荷的存储电容器通常都采用常规材料进行制造，常用的材料不透明，因此会遮光，从而影响显示面板的透明度，进而影响整个显示面板的性能。且现有技术中的电容的各层之间的粘附性较差，容易导致剥离、脱落等现象发生，因此会劣化电容的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明针对现有技术的问题，提出了一种粗化表面的透明电容。其应用于有源矩阵显示面板中并用作存储电容器，透明电容的下电极、上电极以及其间的绝缘介质都为透明材料，对光的透过性良好，不遮光，从而可提高整个显示面板的光分布性以及透光性，进而提高显示面板的性能。而且透明电容的下电极和上电极与绝缘介质接触的表面是粗化表面，从而增强透明电容的下电极和上电极与绝缘介质之间的粘附性，从而提高透明电容的性能。

本发明提出的粗化表面的透明电容包括：

第一透明电极1；

位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2；以及

位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3，其中

第一透明电极1和第二透明电极3与透明绝缘介质层2之间的接触表面是粗化表面4。

附图说明

附图1为本发明提出的粗化表面的透明电容的整体结构。

具体实施方式

以下参考图1详细说明本发明的粗化表面的透明电容的结构及其制造方法。为清楚起见，附图中所示的各个结构均未按比例绘制，且本发明并不限于图中所示结构。

如图1中所示，本发明的粗化的透明电容包括第一透明电极1，其用作透明电容的下电极；位于第一透明电极1上的透明绝缘介质层2，其用作透明电容的电荷存储部；以及位于透明绝缘介质层2上的第二透明电极3，其用作透明电容的上电极，其中第一透明电极1和第二透明电极3与透明绝缘介质层2接触的表面是粗化表面4。

其中第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以是具有透明导电性的材料，例如TCO（透明导电氧化物），具体可以是ITO（氧化铟锡）、ZnO（氧化锌）、SnO₂（氧化锡）、FTO（氟掺杂铟氧化物）、ATO（锑掺杂铟氧化物）、AZO（铝掺杂锌氧化物）中的一种或多种或上述材料的复合薄膜。第一透明电极1和第二透明电极3的材料可以相同或不同，且它们的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

透明绝缘介质层2的材料可以是透明无机材料或透明有机材料，优选透明有机材料，具体包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亚甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，或上述材料的复合膜，且透明绝缘介质层2的厚度小于等于3μm，优选0.3μm-3μm，更优选1μm-2.6μm，更优选1.2μm-2.2μm，更优选1.45-1.75μm。

以下说明图1中的透明电容的制造方法。

实施例1：

步骤一：提供第一透明电极1和第二透明电极3；

步骤二：将含镍纳米粒子分散液旋涂在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面，从而形成单层镍纳米粒子薄膜；

步骤三：对单层镍纳米粒子薄膜进行烘干，形成ICP刻蚀所需的单层镍纳米粒子的掩模层；

步骤四：利用单层镍纳米粒子的掩模层对第一透明电极1和第二透明电极3进行ICP刻蚀，从而在第一透明电极1的上表面以及第二透明电极3的下表面形成粗化表面4；

步骤五：去除单层镍纳米粒子的掩模层；

步骤六：提供透明绝缘介质层2；

步骤七：顺序层合第一透明电极1、透明绝缘介质层2以及第二透明电极3，形成具有粗化表面4的透明电容。