[发明专利]MOS开关电路

权利要求书

1.一种MOS开关电路，其特征在于，包括：NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的切换开关网络；

所述NMOS开关管的源极接输入信号、漏极接输出信号；

所述电容的第一端和电源电压之间设置有至少一个第一切换开关，所述电容的第一端和所述NMOS开关管的栅极之间有至少一个第二切换开关；所述电容的第二端和地之间设置有至少一个第三切换开关，所述电容的第二端和所述NMOS开关管的源极之间有至少一个第四切换开关；所述NMOS开关管的栅极和地之间设置有至少一个第五切换开关；

MOS开关电路包括开关截止和开关导通两种工作状态，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关的开关状态由同一控制信号控制，所述第二切换开关和所述第四切换开关的开关状态由所述控制信号的反相信号控制；通过所述控制信号及其反相信号对各所述切换开关的控制实现所述MOS开关电路在两种工作状态之间的切换；

在开关截止状态时，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关导通，所述第二切换开关和所述第四切换开关断开，所述电容的两端连接在电源电压和地之间从而实现充电，所述NMOS开关管的栅极接地从而使所述NMOS开关管截止；

在开关导通状态时，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关断开，所述第二切换开关和所述第四切换开关导通，所述电容的两端连接在所述NMOS开关管的栅极和源极之间并使所述NMOS开关管的栅源电压保持稳定，所述NMOS开关管的栅极和地之间断开，所述NMOS开关管导通。

2.如权利要求1所述的MOS开关电路，其特征在于：

所述电容为MOS电容，所述MOS电容由源漏极连接在一起的PMOS管或NMOS管组成；

所述切换开关网络包括9个NMOS管以及5个PMOS管；

第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的源极、第六NMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极以及第四PMOS管的源极都连接所述NMOS开关管的源极；

所述控制信号连接到所述第六NMOS管、所述第二NMOS管、第五PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管的栅极；

所述控制信号通过一反相器得到所述控制信号的反相信号，所述反相信号连接到所述第一PMOS管、所述第四PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的栅极；

所述NMOS开关管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、所述第九NMOS管的源极、第三NMOS管的漏极、所述第七NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极；

所述MOS电容的栅极连接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极；

所述MOS电容的源漏极都连接所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极、所述第一PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极；

所述第五PMOS管的源极、所述第三PMOS管的漏极、所述第八NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的漏极都连接所述电源电压；

所述第四PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的漏极、所述第六NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极连接在一起；

所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极都接地；

所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的源极连接在一起；

所述控制信号为低电平时，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管导通，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第四PMOS管截止，所述NMOS开关管截止，所述MOS电容充电；

所述控制信号为高电平时，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管截止，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第四PMOS管导通，所述MOS电容的两端连接在所述NMOS开关管的栅极和源极之间，所述NMOS开关管导通。

3.如权利要求1或2所述的MOS开关电路，其特征在于：所述输入信号的摆幅为满幅度电源电压摆幅。