[发明专利]MOS开关电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种MOS开关电路。

背景技术

图1是现有MOS开关电路的电路图；现有MOS开关电路直接由NMOS开关管101组成，输入信号Vin连接NMOS开关管101的源极、输出信号Vout从NMOS开关管101的漏极输出，NMOS管101的栅极连接控制信号en，当控制信号en为低电平，NMOS开关管101截止；当控制信号en为高电平，NMOS开关管101工作于深三极管区，此时MOS开关电路即NMOS开关管101的导通电阻由下式给出：

Ron=1μnCox(WL)(Vgs-Vth)=1μnCox(WL)(Ven-Vin-Vth)]]>

其中μ_n是电子的迁移率，C_ox是NMOS开关管101的栅氧化层电容，V_th是NMOS开关管101的阈值电压，W和L是NMOS开关管101的宽和长。从上式可以看出，NMOS开关管101的导通电阻与输入信号V_in相关，从而产生了非线性失真。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种MOS开关电路，能使开关晶体管的导通电阻与输入电压无关，有效提高开关的线性，能提高输入信号的摆幅。

为解决上述技术问题，本发明提供的MOS开关电路包括：NMOS开关管、电容和由多个切换开关组成的切换开关网络。

所述NMOS开关管的源极接输入信号、漏极接输出信号。

所述电容的第一端和电源电压之间设置有至少一个第一切换开关，所述电容的第一端和所述NMOS开关管的栅极之间有至少一个第二切换开关；所述电容的第二端和地之间设置有至少一个第三切换开关，所述电容的第二端和所述NMOS开关管的源极之间有至少一个第四切换开关；所述NMOS开关管的栅极和地之间设置有至少一个第五切换开关。

MOS开关电路包括开关截止和开关导通两种工作状态，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关的开关状态由同一控制信号控制，所述第二切换开关和所述第四切换开关的开关状态由所述控制信号的反相信号控制；通过所述控制信号及其反相信号对各所述切换开关的控制实现所述MOS开关电路在两种工作状态之间的切换。

在开关截止状态时，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关导通，所述第二切换开关和所述第四切换开关断开，所述电容的两端连接在电源电压和地之间从而实现充电，所述NMOS开关管的栅极接地从而使所述NMOS开关管截止。

在开关导通状态时，所述第一切换开关、所述第三切换开关和所述第五切换开关断开，所述第二切换开关和所述第四切换开关导通，所述电容的两端连接在所述NMOS开关管的栅极和源极之间并使所述NMOS开关管的栅源电压保持稳定，所述NMOS开关管的栅极和地之间断开，所述NMOS开关管导通。