[发明专利]电负载的分支供电控制装置及分支供电控制方法

权利要求书

1.一种电负载的分支供电控制装置（100、200、300），包括：

第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b），该第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）分别串联连接于第一及第二电负载（107a、108a、107b、108b）的上游位置，所述第一及第二电负载（107a、108a、107b、108b）由与直流电源（101）的正侧端子相连接的共用的供电开关元件（110a、210a、310a）进行分支供电；

负载开关元件（130a、140a、130b、140b、230a、240a、230b、240b、330a、340a、330b、340b），该负载开关元件（130a、140a、130b、140b、230a、240a、230b、240b、330a、340a、330b、340b）进一步分别与所述第一及第二电负载（107a、108a、107b、108b）进行串联连接；以及

控制电路部（160a、160b、170a、170b），该控制电路部（160a、160b、170a、170b）经由所述供电开关元件（110a、210a、310a）、所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）、及所述负载开关元件（130a、140a、130b、140b、230a、240a、230b、240b、330a、340a、330b、340b），对所述第一及第二电负载（107a、108a、107b、108b）提供供电电流，

所述电负载的分支供电控制装置的特征在于，

所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）使用P沟道型或N沟道型的场效应晶体管，其连接时的极性使所述供电电流沿所述场效应晶体管的源极端子S与漏极端子D之间所产生的寄生二极管（121a、121b、321a、321b）的导通方向流通，并且，所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）包括控制所述源极端子S与漏极端子D之间的导通状态的栅极控制电路部（129、329），

所述栅极控制电路部（129、329）或所述控制电路部（160a、160b、170a、170b）包括模拟比较器（25）或数字比较单元（806a），该模拟比较器（25）或数字比较单元（806a）在流过生成有所述寄生二极管（121a、121b、321a、321b）的所述场效应晶体管的所述供电电流为规定阈值电流以上时，对施加于所述源极端子S与栅极端子G之间的栅极电压进行控制，使得对所述场效应晶体管进行闭路驱动；在所述供电电流小于规定阈值电流、或至少所述源极端子S与漏极端子D之间的电压变为所述寄生二极管（121a、121b、321a、321b）的非导通方向的极性时，切断所述栅极电压，使所述场效应晶体管不导通。

2.如权利要求1所述的电负载的分支供电控制装置，其特征在于，

所述栅极控制电路部（129、329）与所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）的两端电压、或该逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）和电流检测电阻（127、327）的串联电路的两端电压成正比的电流检测电压Vdif联动，当该电流检测电压是在与所述规定阈值电流相对应的判定阈值电压ΔV0以上的值时，对所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）进行闭路驱动，当所述电流检测电压Vdif是小于所述判定阈值电压ΔV0的值时，切断所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）的栅极电压，至少在所述电流检测电压Vdif的方向与所述寄生二极管（121a、121b、321a、321b）的导通方向相反时，所述第一及第二逆接保护元件（120a、120b、320a、320b）不导通。