[发明专利]电负载的分支供电控制装置及分支供电控制方法有效
申请号: | 201310556957.X | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN104022540A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 神崎将造;桥本光司;木村友博 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H11/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 分支 供电 控制 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种电负载的分支供电控制装置及分支供电控制方法,经由供电开关元件和逆接保护元件来进行供电的多个电负载能共用供电开关元件,并将多个逆接保护元件进行分支连接。
背景技术
例如在车载电负载中,在作为车载电池的直流电源与多个车载电负载之间设置多个供电开关元件,由一个供电开关元件对一个或多个车载电负载分开进行供电。例如,根据专利文献1“车用电源分配装置”的图6,使用智能功率开关即场效应晶体管44A来作为供电开关元件,以取代电磁继电器的输出触点。另一方面,将逆接保护二极管与由直流电源供电的电负载进行串联连接,来防止在接错电源极性时有负载电流流过,这一方法正得以广泛使用,普遍采用以下方式:即,通过使用场效应晶体管作为逆接保护元件,来力图抑制正常运行时由逆接保护元件所引起的电压下降及温度上升。此外,此处所谓的场效应晶体管包括P沟道型场效应晶体管和N沟道型场效应晶体管,无论采用哪种场效应晶体管,在电源电极正常时,都进行闭路驱动,使得沿与内部寄生二极管的通电方向相同的方向进行通电。
例如,根据专利文献2“电源逆接保护电路”的图4,在利用电池3的功率来动作的ECU45中,在将与电池3的正极端子相连接的电源端子5和供电对象的控制电路13连接起来的电源布线15上,设置有N沟道型FET21,并使其寄生二极管D1的阳极位于电源端子5侧,另外,在FET21的下游侧,设置有N沟道型FET22,并使其寄生二极管D2的阴极位于FET21侧。这样,若在电池3正常连接时接通点火开关9,则利用由FET21的漏极侧提供动作功率的电荷泵电路43、47来使FET21、22导通,以对控制电路13提供电池3的功率。另外,在电池3逆接时,FET21、22截止,利用寄生二极管D1来阻止逆电流。
此外,当因FET22导通而接受来自电池3的功率时,控制电路13开始动作,当开始动作时,控制电路13输出驱动信号Sd,即使点火开关9断开,FET21、22也会保持导通。另外,虽然省略了图示,但控制电路13为了对点火开关9的接通/断开状态进行检测而对信号输入端子11的电压进行监视。而且,控制电路13基于信号输入端子11的电压来对点火开关9断开的情况进行检测,在此之后,数据备份等动作停止前序处理结束,当可以停止动作这一条件成立时,使所述驱动信号Sd的输出停止。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平10-126963号公报(图1、摘要、图6、第0025段)
专利文献2:日本专利特开2007-082374号公报(图4、摘要、图1、第0056、0057段)
发明内容
发明所要解决的技术问题
根据上述专利文献1,使用智能功率开关即场效应晶体管来作为供电开关元件。因此,若因电负载、负载布线发生异常而导致供电开关元件中流过过大电流,则能对供电开关元件进行开路保护,但存在以下问题:即,若接错车载电池的电源极性,则会经由场效应晶体管内部所产生的寄生二极管而流过短路电流,从而导致供电开关元件或与其相连的相关元件发生过热损伤。与之相对,根据专利文献2,使用逆接保护元件和供电开关元件来作为一组开关元件,从而解决了与电源极性逆接相关的问题。然而,若对多个电负载均使用一组开关元件,在经济上较为浪费。
本发明的第一目的在于,提供一种电负载的分支供电控制装置及分支供电控制方法,经由供电开关元件和逆接保护元件来进行供电的多个电负载能共用供电开关元件,并将多个逆接保护元件进行分支连接。本发明的第二目的在于,提供一种电负载的分支供电控制装置及分支供电控制方法,在一个电负载的正侧布线与直流电源的正极布线误触而发生电源短路故障的情况下,能防止对另一个电负载进行绕行供电(wraparound-powered)。
解决技术问题所采用的技术方案
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