[发明专利]像素结构及其制造方法以及显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，设置于一第一基板上，该像素结构包括：

一扫描线，设置于该第一基板上；

一第一绝缘层，设置于该第一基板上，且覆盖该扫描线；

一数据线，设置于该第一绝缘层上；

一像素电极，设置于该第一绝缘层上，该像素电极跟该数据线之间具有一间距；

一第二绝缘层，覆盖该数据线以及该像素电极，该第二绝缘层具有一第一开口位于该数据线以及该像素电极之间；以及

一共用电极，设置于该第二绝缘层上，具有多个狭缝，暴露出部分该像素电极，其中该共用电极覆盖该数据线，且该共用电极具有一第一延伸部分延伸填入该第一开口中，以使该共用电极的该第一延伸部分位于该数据线与该像素电极之间。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该数据线与该像素电极位于同一层别。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包括一有源元件设置于该第一基板上，该有源元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一通道层，该第一绝缘层覆盖该栅极，该源极以及该漏极设置于该第一绝缘层上，该栅极与该扫描线电性连接，该源极与该数据线电性连接，且该漏极与该像素电极直接接触。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，位于该第一开口中的该共用电极的该第一延伸部分与该第一绝缘层直接接触。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一绝缘层更包括一第二开口位于该数据线以及该像素电极之间，该第二开口与该第一开口连通以暴露出部分该第一基板，且该共用电极更具有一第二延伸部分延伸填入该第二开口中，以使该共用电极的该第二延伸部分位于该数据线与该像素电极之间。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，位于该第一开口以及该第二开口中的该共用电极与该第一基板直接接触。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该共用电极包括一第一部、一第二部以及多个第三部，该第一部覆盖该扫描线，该第二部覆盖该数据线且延伸填入该第一开口中，该多个第三部位于该像素电极上方，其中该多个第三部之间以及该第二部与该多个第三部之间具有该多个狭缝。

8.一种像素结构的制造方法，包括：

于一第一基板上形成一扫描线；

于该第一基板上形成一第一绝缘层，且覆盖该扫描线；

于该第一绝缘层上形成一数据线；

于该第一绝缘层上形成一像素电极，该像素电极跟该数据线之间具有一间距；

于该第一基板上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该数据线以及该像素电极，该第二绝缘层具有一位于该数据线以及该像素电极之间的一第一开口；以及

于该第二绝缘层上形成一共用电极，该共用电极具有多个狭缝，其中一部分的该共用电极覆盖该数据线且延伸填入该第一开口中，以使该部分的该共用电极位于该数据线与该像素电极之间。

9.如权利要求8所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该数据线与该像素电极位于同一层别。

10.如权利要求8所述的像素结构的制造方法，其特征在于，更包括于该第一基板上形成一有源元件，该有源元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一通道层，该第一绝缘层覆盖该栅极，该源极以及该漏极设置于该第一绝缘层上，该栅极与该扫描线电性连接，该源极与该数据线电性连接，且该漏极与该像素电极直接接触。

11.如权利要求8所述的像素结构的制造方法，其特征在于，位于该第一开口中的该共用电极与该第一绝缘层直接接触。

12.如权利要求8所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该第一绝缘层更包括一第二开口位于该数据线以及该像素电极之间，该第二开口与该第一开口连通以暴露出部分该第一基板，且该部分的该共用电极更延伸填入该第二开口中，以使该部分的该共用电极位于该数据线与该像素电极之间。

13.如权利要求12所述的像素结构的制造方法，其特征在于，位于该第一开口以及该第二开口中的该共用电极与该第一基板直接接触。