[发明专利]像素结构及其制造方法以及显示面板有效
申请号: | 201310559446.3 | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN103713435A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 彭彦毓;李兴龙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 以及 显示 面板 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种像素结构及其制造方法以及一种显示面板,且特别是有关于一种寄生电容(parasitic capacitance)低的像素结构及其制造方法以及包括此像素结构的显示面板。
【背景技术】
一般而言,液晶显示面板中的液晶分子可通过垂直电场或是横向电场来驱动。以垂直电场驱动显示介质的例子包括扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示面板、垂直排列(Vertical Alignment,VA)型液晶显示面板。以横向电场驱动显示介质的例子包括共平面转换(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示面板、边缘电场转换(Fringe Field Switching,FFS)型液晶显示面板。
以边缘电场转换型液晶显示面板为例,现行的一种像素结构的制造方法中,有源元件的漏极与像素电极可制作于同一层别中且彼此电性连接。举例而言,可通过漏极直接覆盖部分像素电极或是像素电极直接覆盖部分漏极的方式而使二者彼此电性连接。一般而言,数据线的延伸方向通常是平行像素电极的长边,因此,当数据线与漏极同时制作而与像素电极位于同一层别时,数据线与像素电极之间的寄生电容将造成不可忽视的串扰现象(cross talk)。举例而言,当像素结构运作的时,数据线上的信号可能会干扰像素电极的电位,而使像素电极的电位不稳定,进而影响到液晶分子的驱动情况,造成显示画面的品质不佳。
【发明内容】
本发明提供一种像素结构及其制造方法,其数据线与像素电极之间设置有一部分的共用电极以作为电性遮蔽层,因此可降低像素结构的串扰现象。本发明更提供一种显示面板,其包括上述像素结构,因此具有良好的显示品质。
本发明的像素结构设置于一第一基板上。像素结构包括一扫描线、一第一绝缘层、一数据线、一像素电极、一第二绝缘层以及一共用电极。扫描线设置于第一基板上。第一绝缘层设置于第一基板上且覆盖扫描线。数据线设置于第一绝缘层上。像素电极设置于第一绝缘层上,像素电极跟数据线之间具有一间距。第二绝缘层覆盖数据线以及像素电极。第二绝缘层具有一第一开口位于数据线以及像素电极之间。共用电极设置于第二绝缘层上。共用电极具有多个狭缝以暴露出部分像素电极,其中共用电极覆盖数据线,且共用电极具有一第一延伸部分填入第一开口中以使共用电极的第一延伸部分位于数据线与像素电极之间。
本发明的像素结构的制造方法包括以下步骤。首先,于一第一基板上形成一扫描线;于第一基板上形成一第一绝缘层,且第一绝缘层覆盖扫描线;于第一绝缘层上形成一数据线;于第一绝缘层上形成一像素电极,像素电极跟数据线之间具有一间距;于第一基板上形成一第二绝缘层,第二绝缘层覆盖数据线以及像素电极,第二绝缘层具有一位于数据线以及像素电极之间的一第一开口;于第二绝缘层上形成一共用电极,共用电极具有多个狭缝,其中一部分的共用电极覆盖数据线且填入第一开口中,以使部分的共用电极位于数据线与像素电极之间。
本发明的显示面板包括一第一基板、一扫描线、一第一绝缘层、一数据线、一像素电极、一第二绝缘层、一共用电极、一第二基板以及一显示介质层。扫描线设置于第一基板上。第一绝缘层设置于第一基板上。数据线设置于第一绝缘层上。像素电极设置于第一绝缘层上,像素电极跟数据线之间具有一间距。第二绝缘层覆盖数据线以及像素电极,第二绝缘层具有一第一开口位于数据线以及像素电极之间。共用电极设置于第二绝缘层上。共用电极具有多个狭缝以暴露出部分像素电极,其中共用电极覆盖数据线,且共用电极具有一第一延伸部分填入第一开口中,以使共用电极的第一延伸部分位于数据线与像素电极之间。第二基板跟第一基板相对设置。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。
基于上述,本发明的像素结构中的数据线与像素电极之间设置有部分的共用电极,此部分的共用电极可作为数据线与像素电极之间的电性遮蔽层,故可以减少数据线与像素电极之间的串扰现象。据此,包括有此像素结构的液晶显示面板可具有良好的显示品质。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
图1A至图1F为本发明一实施例的像素结构的制造流程上视示意图。
图2A至图2F分别为沿图1A至图1F的剖线A-A’以及剖线B-B’的剖面示意图。
图3A至图3B为本发明另一实施例的像素结构的制造流程上视示意图。
图4A至图4B分别为沿图3A至图3B的剖线A-A’以及剖线B-B’的剖面示意图。
图5为本发明一实施例的液晶显示面板的剖面示意图。
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