[发明专利]一种透明有机电致发光器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310561354.9 申请日: 2013-11-12
公开(公告)号: CN104638119A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 透明 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种透明有机电致发光器件,包括透明阳极导电基底以及在所述透明阳极导电基底表面上依次层叠设置的有机发光功能层、透明阴极和封装层,其特征在于,所述封装层包括在所述透明阴极表面上依次层叠设置的混合阻挡层、第一氧氮化硅膜层、无机阻挡层和第二氧氮化硅膜层;

所述混合阻挡层的材质包括有机化合物和掺杂在所述有机化合物中的铼氧化物;所述有机化合物为1,1-二((4-N,N′-二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;所述铼氧化物为一氧化二铼、氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼和三氧化铼中的至少一种;

所述第一氧氮化硅膜层和所述第二氧氮化硅膜层的材质都为氧氮化硅化合物;

所述无机阻挡层的材质包括铼氧化物、金属氟化物和合金;所述铼氧化物为一氧化二铼、氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼和三氧化铼中的至少一种;所述金属氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙和氟化钡中的至少一种;所述合金为镍铊合金、银镉合金、铜镉合金、铜铝合金、铜镍合金和铝锌合金中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的透明有机电致发光器件,其特征在于,所述混合阻挡层的材质中所述铼氧化物所占的摩尔分数为30%~50%;所述无机阻挡层的材质中所述铼氧化物所占的质量分数为10%~30%,所述合金所占的质量分数为10%~30%。

3.根据权利要求1所述的透明有机电致发光器件,其特征在于,所述混合阻挡层的厚度为200nm~300nm;所述第一氧氮化硅膜层的厚度为150nm~200nm;所述无机阻挡层的厚度为200nm~300nm;所述第二氧氮化硅膜层的厚度为150nm~200nm。

4.根据权利要求1所述的透明有机电致发光器件,其特征在于,所述透明阳极导电基底为透明导电玻璃基底或透明导电塑料基底。

5.一种透明有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

首先透明导电基底表面上制备阳极图形形成透明阳极导电基底,然后采用真空蒸发的方法在所述透明阳极导电基底表面上依次层叠制备有机发光功能层和透明阴极;

在所述透明阴极表面上制备封装层,所述封装层包括依次层叠设置在所述透明阴极表面上的混合阻挡层、第一氧氮化硅膜层、无机阻挡层和第二氧氮化硅膜层;

采用真空蒸发法在所述透明阴极表面上制备混合阻挡层,所述混合阻挡层的材质包括有机化合物和掺杂在所述有机化合物中的铼氧化物;所述有机化合物为1,1-二((4-N,N′-二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种;所述铼氧化物为一氧化二铼、氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼和三氧化铼中的至少一种;

采用等离子体增强化学气相沉积法在所述混合阻挡层表面上制备第一氧氮化硅膜层,所述第一氧氮化硅膜层的材质为氧氮化硅化合物;

采用真空蒸发法在所述第一氧氮化硅膜层表面上制备无机阻挡层,所述无机阻挡层的材质包括铼氧化物、金属氟化物和合金;所述铼氧化物为一氧化二铼、氧化铼、三氧化二铼、二氧化铼、五氧化二铼和三氧化铼中的至少一种;所述金属氟化物为氟化锂、氟化铈、氟化镁、氟化铝、氟化钙和氟化钡中的至少一种;所述合金为镍铊合金、银镉合金、铜镉合金、铜铝合金、铜镍合金和铝锌合金中的至少一种;

采用等离子体增强化学气相沉积法在所述无机阻挡层表面上制备第二氧氮化硅膜层,所述第二氧氮化硅膜层的材质为氧氮化硅化合物。

6.根据权利要求5所述的透明有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,制备所述混合阻挡层和所述无机阻挡层所采用的真空蒸镀的工艺条件均为:真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa,蒸发速度为

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