[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括阳极导电基底以及在所述阳极导电基底表面上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括在所述阴极表面上依次层叠设置的碳氮化硅膜层和无机阻挡层；所述碳氮化硅膜层的材质为碳氮化硅化合物;所述无机阻挡层的材质为氧化铍、氧化镁、氧化钙、氧化锶或者氧化钡。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅膜层的厚度为100nm～150nm；所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氮化硅膜层和所述无机阻挡层形成一个封装单元，所述封装层由3～5个所述封装单元层叠而成。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电玻璃基底的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；

所述导电塑料基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚对萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层包括发光层，以及包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）首先在洁净的导电基底表面上制备有机电致发光器件的阳极图形形成阳极导电基底，然后采用真空蒸镀的方法在所述阳极导电基底表面上依次制备有机发光功能层和阴极；

（2）在所述阴极表面上制备封装层，所述封装层包括在所述阴极表面上依次层叠设置的碳氮化硅膜层和无机阻挡层，制备方法如下：

a）碳氮化硅膜层的制备：采用等离子体增强化学气相沉积法在所述阴极表面上制备碳氮化硅膜层，工作压强为10Pa～50Pa，沉积温度为40℃～60℃，射频功率为100W～300W；所述碳氮化硅膜层的材质为碳氮化硅化合物;所述沉积碳氮化硅膜层的过程中采用的气源为甲基硅烷、氨气和氢气；所述甲基硅烷的流量为4sccm～10sccm，所述氨气的流量为所述甲基硅烷流量的20～30倍，所述氢气的流量为190sccm～210sccm；

b)无机阻挡层的制备：采用原子层沉积法在所述碳氮化硅膜层表面上制备无机阻挡层，工作压强为10Pa～50Pa，沉积温度为40℃～60℃；所述无机阻挡层的材质为氧化铍、氧化镁、氧化钙、氧化锶或者氧化钡；所述沉积无机阻挡层的过程中采用的前驱体为双（乙基环戊二烯）铍、双（乙基环戊二烯）镁、双（乙基环戊二烯）钙、双（乙基环戊二烯）锶或者双（乙基环戊二烯）钡中的一种双（乙基环戊二烯）物和水蒸气；所述双（乙基环戊二烯）物和水蒸气的注入时间均为10ms～20ms，注入所述双（乙基环戊二烯）物与注入所述水蒸气之间间隔5s～10s注入氮气作为净化气体；所述双（乙基环戊二烯）物、所述水蒸气和所述氮气的流量均为10sccm～20sccm。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化硅膜层的厚度为100nm～150nm；所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氮化硅膜层和所述无机阻挡层形成一个封装单元，依次按步骤（a）、（b）顺序交替重复步骤（2）3～5次，制备得到由3～5个所述封装单元重复形成的封装层。

10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。