[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。 

背景技术

目前，有机电致发光器件（OLED）存在寿命较短的问题，这主要是由于侵入的氧气及水汽造成的。一方面，氧气是淬灭剂,会使发光量子效率显著下降,同时，氧气会与发光层发生氧化作用，生成的羰基化合物也是有效的淬灭剂;另一方面,水汽的影响更显而易见,它的主要破坏方式是使得器件内的有机化合物发生水解作用,同时也会与金属阴极发生反应，使其稳定性大大下降,从而导致器件失效,降低使用寿命。因此,为了有效抑制有机电致发光器件（OLED）在长期工作过程中的退化和失效,以使稳定工作达到足够的寿命,起密封保护作用的封装技术就成了解决有机电致发光器件（OLED）寿命问题的一个突破点，同时，这对封装材料的阻隔性提出了极高的要求。 

常用的有机电致发光器件（OLED）的封装技术是在基底上采用盖板封装，盖板封装还需用密封胶对盖板和基底进行密封。密封胶的多孔性使得氧气和水汽很容易渗入器件内部，因此采用这种封装方式时一般还需要在器件内加入干燥剂。随着器件内的干燥剂吸附大量的氧气和水汽，使得干燥剂在短时间内失去了吸收能力，导致器件内逐渐积聚氧气和水汽，从而使得器件的寿命显著下降；其中通常采用的玻璃盖板或金属盖板为脆性材料，易产生裂纹，制得器件会显得十分厚重，不适用于柔性器件。因此，如何减少氧气和水汽对器件的渗透，提高器件的寿命，尤其是提高柔性器件的寿命已成为当今技术人员所要急切解决的问题之一。 

发明内容

为解决上述问题，本发明第一方面提供了一种有机电致发光器件，即在阴极表面上设置封装层；本发明提供的封装层具有很高的致密性，有效地减少了外部的氧气、水汽等活性物质对有机电致发光器件内的有机化合物及电极的侵蚀，防水性能（WVTR）达到了7.25×10^-6g/m²·day左右，从而对有机电致发光器件形成了有效的保护，提高了器件的寿命，尤其是柔性器件的寿命，使得器件的寿命达到了14200小时以上（T70@1000cd/m²）；本发明第二方面还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，易大面积制备，对器件的结构和物理性质影响小，制成的膜的厚度、致密性和均匀性好，同时避免了有害物质的污染。 

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极导电基底以及在所述阳极导电基底表面上依次层叠设置的有机发光功能层、阴极和封装层；所述封装层包括在阴极表面上依次层叠设置的碳氮化硅膜层和无机阻挡层；所述碳氮化硅膜层的材质为碳氮化硅化合物（SiC_xN_y，其中0.01＜x≤0.8，0.01＜y≤1.3，0.5＜x+y＜2）;所述无机阻挡层的材质为氧化铍（BeO）、氧化镁（MgO）、氧化钙（CaO）、氧化锶（SrO）或者氧化钡（BaO）。 

无机阻挡层的材质可以提高膜层的致密性，并且还可以通过与外界进入的水汽形成水合物，阻止水汽进入器件内，同时无机阻挡层中氧化物内部的氧离子空位可以捕获氧气，因此无机阻挡层具有良好的氧气与水汽的阻隔能力；碳氮化硅膜层中的碳氮化硅的分子结构同时具有无机和有机的功能基团，使得碳氮化硅化合物具有无机物的高阻隔性以及有机物的粘连性和柔韧性，可以提高无机阻挡层的阻隔性的同时，还可以改善无机阻挡层的粘附性，并且还可以有效地减小膜层之间的应力。 

优选地，所述碳氮化硅膜层的厚度为100nm～150nm；所述无机阻挡层的厚度为15nm～20nm。 

优选地，所述碳氮化硅膜层和所述无机阻挡层形成一个封装单元，所述封 装层由3～5个所述封装单元层叠而成。 

封装层包括多个由碳氮化硅膜层和无机阻挡层组成的封装单元，增加了无机阻挡层中针孔的平均长度，碳氮化硅化合物也更有效地填补了无机阻挡层中的针孔，因此降低了针孔对于封装的影响，使得封装层具有了很高的致密性，更有效地提高了封装层的阻隔性。 

优选地，所述阳极导电基底为导电玻璃基底、导电金属基底或导电塑料基底。 

更优选地，所述导电玻璃基底的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）； 

所述导电塑料基底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚砜醚（PES）、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）或聚酰亚胺（PI）。