[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层及在所述阴极层上交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，其特征在于，

所述有机阻挡层的材质为氢化碳氮化合物；

所述无机阻挡层的材质为硼化物、氮化物和硒化物组成的混合物；所述氮化物为Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN的任意一种；所述硼化物为AlB₂、LaB₆、VB₂、NbB、TiB₂或MoB的任意一种；所述硒化物为Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或 Cu₂Se的任意一种；所述硼化物占所述氮化物的重量百分比为10~30wt%；所述硒化物占所述氮化物的重量百分比为10~30wt%。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氢化碳氮化合物以CH4和N2为原材料采用等离子增强化学气相沉积的方法制备。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层和无机阻挡层交替层叠的层数均为3、4或5。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为400nm～600nm，所述无机阻挡层的厚度为100nm～150nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述阳极导电基板包括阳极导电层和基板，所述阳极导电层的材质为导电金属氧化物，所述基板的材质为玻璃、塑料或金属；

所述空穴注入层的材质为将MoO₃掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的混合物，其中MoO₃占N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的重量百分比为30wt%~40wt%；

所述空穴传输层的材质为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述发光层的材质为将三（2-苯基吡啶）合铱掺杂入1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的混合物，其中三（2-苯基吡啶）合铱占1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的重量百分比为5wt%~8wt%；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉；

所述电子注入层的材质为将CsN₃掺杂入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉的混合物，其中CsN₃占4,7-二苯基-1,10-菲罗啉的重量百分比为30wt%~40wt%；

所述阴极层的材质为金属。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，采用真空蒸镀的方法在清洗干净的阳极导电基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层；及

步骤2，在所述阴极层上，首先，采用等离子增强化学气相沉积的方法制备有机阻挡层；然后，在所述有机阻挡层上采用磁控溅射的方法制备无机阻挡层；最后，依次交替层叠制备有机阻挡层和无机阻挡层；其中，

所述有机阻挡层的材质为氢化碳氮化合物；

所述无机阻挡层的材质为硼化物、氮化物和硒化物组成的混合物；所述氮化物为Si₃N₄、AlN、BN、HfN、TaN或TiN的任意一种；所述硼化物为AlB₂、LaB₆、VB₂、NbB、TiB₂或MoB的任意一种；所述硒化物为Sb₂Se₃、MoSe₂、Bi₂Se₃、NbSe₂、TaSe₂或 Cu₂Se的任意一种；所述硼化物占所述氮化物的重量百分比为10~30wt%；所述硒化物占所述氮化物的重量百分比为10~30wt%。