[发明专利]半导体发光元件和发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

由具有第1导电类型的化合物半导体构成的第1半导体层；

在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光的发光层；

在所述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成的第2半导体层；

从所述发光层观察设在所述第2半导体层的背面侧，由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成，被设定为第1厚度的第1透明绝缘层；

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由金属构成并且与所述第1半导体层电连接的第1供电电极；

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由金属构成并且与所述第2半导体层电连接的第2供电电极；和

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成，被设定为第2厚度的第2透明绝缘层，

将所述第1厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被反射的大小，

将所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被透射的大小。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，还具有：

经由贯穿所述第1透明绝缘层、所述第2半导体层以及所述发光层的孔而与所述第1半导体层电连接的第1连接电极；和

从该发光层观察设在该第1透明绝缘层的背面侧，将该第1连接电极和所述第1供电电极电连接的第1辅助电极，

所述第2透明绝缘层以覆盖所述第1辅助电极的方式设置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，还具有：

经由贯穿所述第1透明绝缘层的孔而与所述第2半导体层电连接的第2连接电极；和

从所述发光层观察设在该第1透明绝缘层的背面侧，将该第2连接电极和所述第2供电电极电连接的第2辅助电极，

所述第2透明绝缘层以覆盖所述第2辅助电极的方式设置。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第1透明绝缘层以及所述第2透明绝缘层由相同材料构成。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述化合物半导体包括III族氮化物半导体，

所述第1半导体层直接或隔着其他的层层叠在基板之上。

6.一种发光装置，其特征在于，包括：

形成有第1配线以及第2配线的基部；和

针对该基部面朝上连接的半导体发光元件，

所述半导体发光元件，具备：

由具有第1导电类型的化合物半导体构成的第1半导体层；

在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置，由化合物半导体构成并且通过通电而发光的发光层；

在所述发光层上与该发光层接触地设置，由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成的第2半导体层；

从所述发光层观察设在所述第2半导体层的背面侧，由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成，被设定为第1厚度的第1透明绝缘层；

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由金属构成并且与所述第1半导体层电连接、而且与设在所述基部的所述第1配线电连接的第1供电电极；

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由金属构成并且与所述第2半导体层电连接、而且与设在所述基部的所述第2配线电连接的第2供电电极；和

从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧，由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成，被设定为第2厚度的第2透明绝缘层，

将所述第1厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被反射的大小，

将所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被透射的大小。