[发明专利]半导体发光元件和发光装置有效
申请号: | 201310561694.1 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN103811617B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 篠原裕直 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/36 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 装置 | ||
技术领域
本发明涉及半导体发光元件和发光装置。
背景技术
使用GaInN、AlInGaP、GaAlAs等的发光层的半导体发光元件,被利用作为发光效率高的发光二极管。例如,使用GaInN等III族氮化物半导体的半导体发光元件,例如在蓝宝石等的基板上形成包含发光层的III族氮化物半导体层而构成。而且,存在下述的结构:通过以面朝上的方式对配线基板安装半导体发光元件,将从发光层输出的光射出到外部。
作为公报记载的现有技术,存在一种半导体发光元件,其构成为,在基板上层叠n型半导体层、发光层和p型半导体层,在成为与基板相反侧的p型半导体层上形成p电极,并且,在通过部分除去p型半导体层和发光层两者而在与基板相反的一侧露出的n型半导体层上形成n电极(参照专利文献1)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-28495号公报
发明内容
但是,为了形成n电极,而采用通过除去p型半导体层和发光层两者而使n型半导体层露出的构成的情况下,半导体发光元件中的发光层的面积减少,有相应地来自半导体发光元件的光输出降低之虞。
另外,在采用不除去p型半导体层和发光层两者、且在与发光层对向的部位配置n电极的构成的情况下,从发光层输出的光会被n电极吸收,其结果,存在来自半导体发光元件的光输出变得难以增加之虞。
发明内容
本发明的目的是使来自通过面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。
本发明的半导体发光元件,其特征在于,具备:由具有第1导电类型的化合物半导体构成的第1半导体层;在所述第1半导体层上与该第1半导体层接触地设置,由化合物半导体构成且通过通电而发光的发光层;在所述发光层上与该发光层接触地设置,由具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型的化合物半导体构成的第2半导体层;从所述发光层观察设在所述第2半导体层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,且被设定为第1厚度的第1透明绝缘层;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成且与所述第1半导体层电连接的第1供电电极;从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由金属构成且与所述第2半导体层电连接的第2供电电极;和从所述发光层观察设在所述第1透明绝缘层的背面侧,由对于从该发光层输出的波长的光具有透射性的绝缘材料构成,且被设定为第2厚度的第2透明绝缘层,
将所述第1厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被反射的大小,将所述第1厚度加上所述第2厚度所得的第3厚度设定为从所述发光层输出的波长的光容易被透射的大小。
在这样的半导体发光元件中,能够使其特征在于,还具有:经由贯穿所述第1透明绝缘层、所述第2半导体层以及所述发光层的孔而与所述第1半导体层电连接的第1连接电极;和从该发光层观察设在该第1透明绝缘层的背面侧,将该第1连接电极和所述第1供电电极电连接的第1辅助电极,所述第2透明绝缘层以覆盖所述第1辅助电极的方式设置。
另外,能够使其特征在于,还具有:经由贯穿所述第1透明绝缘层的孔而与所述第2半导体层电连接的第2连接电极;和从所述发光层观察设在该第1透明绝缘层的背面侧,将该第2连接电极和所述第2供电电极电连接的第2辅助电极,所述第2透明绝缘层以覆盖所述第2辅助电极的方式设置。
进而,能够使其特征在于,所述第1透明绝缘层和所述第2透明绝缘层由相同材料构成。
进而,能够使其特征在于,所述化合物半导体包含III族氮化物半导体,所述第1半导体层直接或介由其他的层层叠在基板之上。
另外,从其他的观点考虑,本发明的发光装置,其特征在于,包括:形成有第1配线以及第2配线的基部;和针对该基部面朝上连接的半导体发光元件,
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