[发明专利]反应腔结构及半导体等离子处理系统

权利要求书

1.一种反应腔结构，包含主腔体（13）、连接设置在主腔体底部的集成转接器（2），该主腔体（1）下方包括具有第一直径的主腔体开口（11），所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道，所述集成转接器包括上下相连接的腔底密闭环（21）和转接环（22），其特征在于，转接环（22）的内部通道具有第二直径，腔底密闭环（21）的顶部与所述主腔体开口（11）形状相匹配具有第一直径，腔底密闭环（21）底部通道具有第二直径，其中第一直径大于第二直径。

2.如权利要求1所述的反应腔结构，其特征在于，所述的集成转接器（2）的腔底密闭环与所述与主腔体（13）底部相连接后形成反应腔的排气腔。

3.如权利要求1所述的反应腔结构，其特征在于，所述集成转接器腔底密闭环（21）的侧壁上具有机械紧固件实现与主腔体的紧固连接。

4.如权利要求3所述的反应腔结构，其特征在于，所述集成转接器腔底密闭环（21）通孔直径从第一直径逐渐向下减小到第二直径。

5.如权利要求1所述的反应腔结构，其特征在于，主腔体（13）底面包括多个支架安装区围绕在所述集成转换器腔底密闭环（21）外围。

6.如权利要求5所述的反应腔结构，其特征在于，所述的集成转接器腔底密闭环（21）侧壁为圆形；所述的主腔体截面为大于腔底密闭环截面的多边形。

7.如权利要求5所述的反应腔结构，其特征在于，还包含支架（3），其连接设置在所述主腔体（13）底部支架安装区。

8.如权利要求1所述的反应腔结构，其特征在于，还包括一个钟摆阀（4）与所述的集成式转接器（2）的转接环（22）相连接，所述钟摆阀（4）内部通道也具有第二直径。

9.一种半导体等离子处理系统，其特征在于，包含：

如权利要求1-9任意一项权利要求所述的反应腔结构；

钟摆阀（4），其与反应腔结构相连；

气泵（5），其与钟摆阀（4）相连；

中心环（6），其设置在钟摆阀（4）与气泵（5）之间。