[发明专利]反应腔结构及半导体等离子处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体生产设备，特别涉及一种反应腔结构及半导体等离子处理系统。

背景技术

如图1所示，现有技术中的反应腔结构，包含腔体1’、连接设置在腔体1’底部的转接器22’，该腔体1’内部包括处理腔，基座，基座上可以放置待处理基片，一个或多个支撑支撑臂，该支撑臂一端连接到反应腔体1的侧壁，另一端连接到基座下部以支持基座，同时提供射频功率、冷却水、冷却气体的管路通道。支撑臂下方设有排气腔，排气腔上半部分为具有较大口径的第一排气腔11’，排气腔下半部分为口径逐渐缩小，截面呈斜面的第二排气腔12’，排气腔下方还要设置一个钟摆阀（pendulum valve），通过控制钟摆阀的开口宽度可以改变腔体内的气压大小。由于腔体1’下方的钟摆阀为供应商单独设计的标准部件，其上表面没有用于和第二排气腔12’底部相固定的结构，所以通常需要设置一个转换器22’在腔体与钟摆阀之间提供转接管道，以实现腔体1’与下方钟摆阀的固定。其中转接器22’的口径与下方的钟摆阀以及上方第二排气腔的下表面开口形状相匹配，具有相同的口径。由于腔体1’的高度很高，如图1所示可以达到501mm，而且下方开口的口径远小于上方开口的口径，所以在加工反应腔底部排气腔的加工面时需要将工具从顶部开口向下伸入底部区域才可。而现有设备很少有直接加工如此大尺寸的能力，需要专门设计其它加工工艺完成，这样就增加了反应腔加工的难度。

发明内容

本发明的目的是提供一种反应腔结构及半导体等离子处理系统，将原有的腔体分为上下两部分腔体，并将主腔体与转接器相整合，简化了腔体内部的加工工艺。

为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种反应腔结构，包含主腔体、连接设置在主腔体底部的集成转接器，该主腔体下方包括具有第一直径的主腔体开口，所述集成转接器由环形侧壁围绕形成用于气体流通的内部通道，所述集成转接器包括上下相连接的腔底密闭环和转接环，其特点是，转接环的内部通道具有第二直径，腔底密闭环的顶部与所述主腔体开口形状相匹配具有第一直径，腔底密闭环底部通道具有第二直径，其中第一直径大于第二直径。

所述集成转接器的腔底密闭环与所述与主腔体底部相连接后形成反应腔的排气腔。所述集成转接器腔底密闭环的侧壁上具有机械紧固件实现与主腔体下表面的紧固连接。

所述集成转接器腔底密闭环通孔直径从第一直径逐渐向下减小到第二直径

主腔体底面包括多个支架安装区，围绕在所述腔底密闭环外围，其中所述的集成转接器的腔底密闭环侧壁截面为圆形，主腔体截面为大于腔底密闭环截面的多边形。

所述转接器的转接环下端与一个钟摆阀相连接，所述钟摆阀内部通道也具有第二直径。

一种半导体等离子处理系统，其特点是，还包含气泵与钟摆阀相连气泵，其与钟摆阀相连；

中心环，其设置在钟摆阀与气泵之间。

所述钟摆阀接口与所述的集成转接器相连。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

1、在不增加零件数量的基础上，将原有的腔体分为主腔体与腔体底部密闭环，并将腔体底部密闭环与转接器相整合形成集成式转接器，这一结构使得加工腔体内部时，只需要从腔体上下两侧的大开口加工，从而使加工变得方便可行。

2、本发明由于设有集成式转接器，当需要改动钟摆阀及气泵时，只要更换或拆卸集成式转接器，而腔体不需要进行设计，避免浪费。

3、集成式转接器的上方（即下腔体）为圆形，上腔体为方形，且外径小于上腔体的外径，使得上腔体底部留有用来固定支架的空间，这样在更换下部的钟摆阀及气泵时，无需拆除支架。

附图说明

图1为现有技术中反应腔结构的示意图；

图2为本发明一种反应腔结构的示意图；

图3为本发明反应腔架设在支架后的示意图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。