[发明专利]静电放电保护电路在审
| 申请号： | 201310565459.1 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104638622A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 曹太和;颜承正 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电保护电路，包括：
一箝制单元，耦接在一第一电源与一第二电源之间；
一驱动单元，耦接在所述箝制单元与一参考节点之间；
一电阻单元，耦接在所述第一电源与所述参考节点之间；
一开关单元，经由所述参考节点耦接至所述驱动单元；以及
一电容单元，耦接在所述开关单元与所述第二电源之间；
其中在一正常操作条件下，所述驱动单元控制所述开关单元处于不导通的状态，以及在一静电放电条件下，所述驱动单元控制所述开关单元处于导通状态。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，还包括：
至少一缓冲单元，耦接在所述开关单元与所述驱动单元之间。
3.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中所述驱动单元包括：
多个反相单元，耦接在所述开关单元与所述箝制单元之间。
4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中所述开关单元为一N型金属氧化物半导体晶体管（NMOS）、一P型金属氧化物半导体晶体管（PMOS）或一传输门。
5.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中所述电容单元为一具有薄栅氧化层的金属氧化物半导体电容。
6.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中所述第一电源的电压大于所述第二电源的电压，以及所述静电放电保护电路为一基于电阻电容的导电轨的静电放电箝制电路。
7.根据权利要求6所述的静电放电保护电路，其中所述箝制单元为一N型金属氧化物半导体晶体管（NMOS）。
8.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其中所述第二电源的电压大于所述第一电源的电压，以及所述静电放电保护电路为一基于电容电阻的导电轨的静电放电箝制电路。
9.根据权利要求8所述的静电放电保护电路，其中所述箝制单元为一P型金属氧化物半导体晶体管（PMOS）。
10.一种静电放电保护电路，包括：
一箝制单元，耦接在一第一电源与一第二电源之间；
一驱动单元，耦接在所述箝制单元与一参考节点之间；
一电阻单元，耦接在所述第一电源与所述参考节点之间；
一开关单元，耦接至所述驱动单元；以及
一电容单元，耦接在所述开关单元与所述第二电源之间；
其中所述开关单元耦接在所述电阻单元与所述电容单元之间，且在一正常操作条件下，所述驱动单元控制所述开关单元处于不导通的状态，以及在一静电放电条件下，所述驱动单元控制所述开关单元处于导通状态。
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