[发明专利]埋入式薄膜电阻材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201310566007.5 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103643085A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 孙蓉;赖莉飞;符显珠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C22C19/05 | 分类号： | C22C19/05;C23C14/34;C23C14/16;H01C7/00;H01C17/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋入 薄膜 电阻 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，按原子百分比计，包括：
镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。
2.一种埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，包括镍铬碳钨薄膜，所述镍铬碳钨薄膜的元素按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。
3.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，还包括衬底，所述镍铬碳钨薄膜沉积于所述衬底上。
4.根据权利要求3所述的埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，所述衬底为低轮廓柔性铜箔。
5.根据权利要求2所述的埋入式薄膜电阻材料，其特征在于，所述镍铬碳钨薄膜的厚度为85纳米～200纳米。
6.一种埋入式薄膜电阻材料的制备方法，包括如下步骤：
提供衬底；及
采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜，得到埋入式薄膜电阻材料，其中，所述镍铬碳钨薄膜的元素按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。
7.根据权利要求6所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜的步骤后，还包括将所述镍铬碳钨薄膜进行高温退火的步骤。
8.根据权利要求7所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述高温退火的步骤是在保护气体氛围中，于250℃～400℃下退火480秒～720秒。
9.根据权利要求6所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜的步骤是采用镍铬合金靶材、碳靶材和钨靶材，将镍铬、碳和钨溅射至所述衬底上，在所述衬底上沉积镍铬碳钨薄膜。
10.根据权利要求7所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜的步骤中，所述镍铬合金靶材的电流为2～5安，所述碳靶材的电流为1安～1.5安，所述钨靶材的电流为0.1安～0.3安。
11.根据权利要求6所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜的步骤中，在所述衬底上施加30伏～120伏的偏压。
12.根据权利要求6所述的埋入式薄膜电阻材料的制备方法，其特征在于，所述采用溅射法在所述衬底上形成镍铬碳钨薄膜的步骤中，所述衬底旋转，所述旋转的速度为4转/分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院，未经中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310566007.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
