[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201310567473.5 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104637979A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启;何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层,所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层,所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0~4.4eV的金属,所述高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV~7.0的金属,所述第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV~4.7eV的金属氧化物,所述第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV~5.0eV的金属氧化物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述低功函数金属层的材料为铝、镁或钙,所述高功函数金属层的材料为金、铂或镍,所述第一半导体氧化物层的材料为二氧化钴或五氧化二钽,所述第二半导体氧化物层的材料为二氧化铈、二氧化锡或五氧化二钒。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述低功函数金属层的厚度为5nm~15nm,所述高功函数金属层的厚度为5nm~15nm,所述第一半导体氧化物层的厚度为3nm~6nm,所述第二半导体氧化物层的厚度为3nm~6nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,每一个有机电致发光单元包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料为磷光材料与发光主体的混合物或荧光材料,所述荧光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯,所述磷光材料选自双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱及三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种,所述发光主体为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。
6.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
采用蒸镀技术,在导电阳极基底的阳极层表面制备至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层,所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层,所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0~4.4eV的金属,所述高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV~7.0的金属,所述第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV~4.7eV的金属氧化物,所述第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV~5.0eV的金属氧化物;及
在远离所述阳极层表面的有机电致发光单元表面制备阴极。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述低功函数金属层的材料为铝、镁或钙,所述高功函数金属层的材料为金、铂或镍,所述第一半导体氧化物层的材料为二氧化钴或五氧化二钽,所述第二半导体氧化物层的材料为二氧化铈、二氧化锡或五氧化二钒。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述低功函数金属层的厚度为5nm~15nm,所述高功函数金属层的厚度为5nm~15nm,所述第一半导体氧化物层的厚度为3nm~6nm,所述第二半导体氧化物层的厚度为3nm~6nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的