[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。然而，目前有机电致发光器件的发光效率较低。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括导电阳极基底、阴极、层叠设置于所述导电阳极基底的阳极层及所述阴极之间的至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.4eV的金属，所述高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV～7.0的金属，所述第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV～4.7eV的金属氧化物，所述第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV～5.0eV的金属氧化物。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的材料为铝、镁或钙，所述高功函数金属层的材料为金、铂或镍，所述第一半导体氧化物层的材料为二氧化钴或五氧化二钽，所述第二半导体氧化物层的材料为二氧化铈、二氧化锡或五氧化二钒。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的厚度为5nm～15nm，所述高功函数金属层的厚度为5nm～15nm，所述第一半导体氧化物层的厚度为3nm～6nm，所述第二半导体氧化物层的厚度为3nm～6nm。

在其中一个实施例中，每一个有机电致发光单元包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的空穴传输层、发光层及电子传输层。

在其中一个实施例中，所述发光层的材料为磷光材料与发光主体的混合物或荧光材料，所述荧光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、5,6,11,12-四苯基萘并萘、2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯或4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯，所述磷光材料选自双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱、二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，所述发光主体为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

采用蒸镀技术，在导电阳极基底的阳极层表面制备至少两个有机电致发光单元及设置于相邻的两个有机电致发光单元之间的电荷生成层，所述电荷生成层包括自靠近所述阳极层的方向至远离所述阳极层的方向依次层叠的低功函数金属层、第一半导体氧化物层、第二半导体氧化物层及高功函数金属层，所述低功函数金属层的材料为功函数为3.0～4.4eV的金属，所述高功函数金属层的材料为功函数为5.0eV～7.0的金属，所述第一半导体氧化物层的材料为功函数为4.4eV～4.7eV的金属氧化物，所述第二半导体氧化物层的材料为功函数为4.47eV～5.0eV的金属氧化物；及

在远离所述阳极层表面的有机电致发光单元表面制备阴极。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的材料为铝、镁或钙，所述高功函数金属层的材料为金、铂或镍，所述第一半导体氧化物层的材料为二氧化钴或五氧化二钽，所述第二半导体氧化物层的材料为二氧化铈、二氧化锡或五氧化二钒。