[发明专利]制造薄膜晶体管阵列板的方法在审
| 申请号： | 201310571473.2 | 申请日： | 2013-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103839887A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 朴源模 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 阵列 方法 | ||
1.制造薄膜晶体管阵列板的方法，包括；
在基底上形成半导体；
在所述半导体上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成牺牲层，所述牺牲层包括开口；
在所述牺牲层上形成铜覆层，所述铜覆层填充所述开口；
通过化学机械抛光将所述铜覆层抛光而形成栅极布线，直到所述牺牲层被暴露；
除去所述牺牲层；
通过将所述栅极布线用作掩模以将导电杂质掺杂在所述半导体上而形成源极区和漏极区；
形成覆盖所述栅极布线的第一层间绝缘层；以及
在所述第一层间绝缘层上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极分别连接至所述源极区和所述漏极区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层由氮化硅或钨形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层形成为厚度为至
4.制造薄膜晶体管阵列板的方法，包括：
在基底上形成半导体；
在所述半导体上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上形成牺牲层，所述牺牲层包括开口；
在所述牺牲层上形成铜覆层，所述铜覆层填充所述开口；
通过化学机械抛光将所述铜覆层抛光而形成栅电极的上层，直到所述牺牲层被暴露；
除去所述牺牲层；
通过除去被暴露的蚀刻停止层而形成所述栅电极的下层；
通过将所述栅电极用作掩模以将导电杂质掺杂在所述半导体上而形成源极区和漏极区；
形成覆盖所述栅电极的上层和所述栅电极的下层的第一层间绝缘层；以及
在所述第一层间绝缘层上形成源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极分别连接至所述源极区和所述漏极区。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述牺牲层由氮化硅形成。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述牺牲层形成为厚度为至
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻停止层由钨形成。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻停止层形成为厚度为至
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
