[发明专利]制造薄膜晶体管阵列板的方法

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及制造薄膜晶体管阵列板的方法。

背景技术

通常，薄膜晶体管（TFT）阵列板用作用于独立地驱动液晶显示器（LCD）、有机电发光（EL）显示器等中每个像素的电路板。薄膜晶体管是用于根据栅极信号传输或阻挡被传输至像素电极的数据电压的开关元件。

该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术背景的理解，因此其可包括对本国本领域的普通技术人员公知但并非属于现有技术的信息。

发明内容

本发明的实施方式涉及制造薄膜晶体管阵列板的方法，其包括：在基底上形成半导体；在半导体上形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成包括开口的牺牲层。该方法还包括：在牺牲层上形成填充上述开口的铜覆层；通过化学机械抛光将铜覆层抛光而形成栅极布线，直到牺牲层被暴露；以及除去牺牲层。此外，该方法还包括：通过将栅极布线用作掩模以将导电杂质掺杂在半导体上而形成源极区和漏极区；形成覆盖栅极布线的第一层间绝缘层；以及在第一层间绝缘层上形成源电极和漏电极，该源电极和漏电极分别连接至源极区和漏极区。

牺牲层可由氮化硅或钨形成。

牺牲层可形成为厚度为约至约

本发明的实施方式还涉及制造薄膜晶体管阵列板的方法，其包括：在基底上形成半导体；在半导体上形成栅电极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成蚀刻停止层。该方法还包括：在蚀刻停止层上形成包括开口的牺牲层；在牺牲层上形成填充上述开口的铜覆层；通过化学机械抛光将铜覆层抛光而形成栅电极的上层，直到牺牲层被暴露；以及除去牺牲层。此外，该方法还包括：通过除去被暴露的蚀刻停止层而形成栅电极的下层；通过将栅电极用作掩模以将导电杂质掺杂在半导体上而形成源极区和漏极区；形成覆盖栅电极的上层和栅电极的下层的第一层间绝缘层；以及在第一层间绝缘层上形成源电极和漏电极，该源电极和漏电极分别连接至源极区和漏极区。

牺牲层可由氮化硅形成。

牺牲层可形成为厚度为约至约

蚀刻停止层可由钨形成。

蚀刻停止层可形成为厚度为约至约

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施方式，本发明的特征将对本领域的普通技术人员变得显而易见，在附图中：

图1是示出了包括在根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路的电路图；

图2是图1的有机发光二极管显示器的一个像素的布局视图；

图3是沿图2的线III-III的剖视图；

图4至图10是根据工序顺序示出制造根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法；

图11是沿图2的线III-III的根据另一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图；

图12至图15是示出制造根据另一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的方法的剖视图。

具体实施方式

下文中将参照附图更加全面地描述本发明的示例性实施方式；然而，可以通过不同的形式实施本发明，并且本发明不应被解释为受本文实施方式的限制。相反，提供这些实施方式以使本公开详尽且完整，并且本公开将更全面地将示例性实施方式的范围传达给本领域的技术人员。

为了清晰起见，在附图中放大了层、膜、板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被称为是位于另一元件“上”时，其可以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。相反地，当元件被称为是直接位于另一元件上时，则不存在插入的元件。

下文中，将参照附图详细描述根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器。

图1是示出了包括在根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路的电路图。

在图1所示的示例性实施方式中，根据该示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括多个信号线121、171、及172，和连接至信号线121、171、及172且约设置在矩阵中的多个像素PX。

该多个信号线包括用于传输栅极信号（或扫描信号）的多个栅极线121、用于传输数据信号的多个数据线171、以及用于传输驱动电压Vdd的多个驱动电压线172。栅极线121约在行方向上延伸且大体上彼此平行，数据线171和驱动电压线172在垂直方向上的部分约在列方向上延伸且大体上彼此平行。

每个像素（PX）包括开关薄膜晶体管Qs、驱动薄膜晶体管Qd、存储电容器Cst、以及有机发光二极管（OLED）LD。