[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

装置基板，包括：

半导体基板；

导电结构，配置在该半导体基板的一主动面上，其中该装置基板具有一基板开口穿过该半导体基板并露出该导电结构；

导电薄膜；

介电薄膜；以及

导电插塞，其中该导电薄膜、该介电薄膜与该导电插塞配置在该基板开口中，该介电薄膜介于该导电薄膜与该导电插塞之间；以及

介电层，配置在该基板开口中，并在该导电薄膜下。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电插塞电连接该导电薄膜与该导电结构。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中位在该基板开口中的该介电薄膜与该导电薄膜分别具有L形状。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中位在该基板开口中的该介电层具有L形状。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板开口包括：

沟槽，穿过该半导体基板；以及

通孔，穿过该导电薄膜与该介电薄膜。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该导电薄膜与该介电薄膜配置在该沟槽中，该导电插塞填充该通孔。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括遮蔽图案，配置在该半导体基板相对于该主动面的一背面上。

8.如权利要求7所述的半导体结构，还包括一介电层，配置在该半导体基板的该背面与该遮蔽图案之间。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其中该遮蔽图案包括金属。

10.如权利要求1所述的半导体结构，还包括导电垫，突出该半导体基板相对于该主动面的一背面，并电连接至该导电插塞。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其中该介电薄膜延伸至该半导体基板的该背面上，该导电垫配置在该背面上的该介电薄膜的一上表面。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其是CMOS影像感测器(CIS)。

13.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一装置基板，其包括：

半导体基板；以及

导电结构，配置在该半导体基板的一主动面上；

于该装置基板中形成一基板开口穿过该半导体基板并露出该导电结构；

形成一介电层于该基板开口中；

形成一导电薄膜于该基板开口中，使该介电层位于该导电薄膜下；

形成一介电薄膜于该基板开口中；以及

形成一导电插塞于该基板开口中，其中该介电薄膜介于该导电薄膜与该导电插塞之间。

14.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该基板开口的形成方法包括从该半导体基板相对于该主动面的一背面进行蚀刻步骤。

15.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其中该基板开口的形成方法包括:

移除部分该半导体基板，以形成该基板开口的一沟槽，其中该导电薄膜与该介电薄膜是形成在该沟槽中；以及

移除该介电薄膜与该导电薄膜的下部分，以形成该基板开口的一通孔，其中该导电插塞是填充该通孔。

16.如权利要求15所述的半导体结构的制造方法，还包括形成一介电层于该沟槽中，且位于该导电薄膜下，该通孔的形成方法还包括移除该介电层的一下部分。

17.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，还包括:

形成该导电薄膜于该半导体基板相对于该主动面的一背面上；以及

图案化该导电薄膜于该背面上的部分，以形成一遮蔽图案。

18.如权利要求13所述的半导体结构的制造方法，包括:

形成一导电材料于该基板开口中与该半导体基板相对于该主动面的一背面上，其中该导电材料位在该基板开口中的部分是形成该导电插塞；以及

图案化该导电材料于该半导体基板的该背面上的部分，以形成一导电垫。