[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一装置基板、一导电薄膜、一介电薄膜与一导电插塞。装置基板包括一半导体基板与一导电结构。导电结构配置在半导体基板的一主动面上。装置基板具有一基板开口穿过半导体基板并露出导电结构。导电薄膜、介电薄膜与导电插塞配置在基板开口中。介电薄膜介于导电薄膜与导电插塞之间。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

随着数字相机、扫描器等电子商品不断的开发与成长，消费市场对影像感测元件的需求也持续的增加。一般而言，目前常用的影像感测元件，包括了电荷耦合感测元件(charge coupled device;CCD sensor)以及互补式金氧半导体影像感测元件(CMOS imagesensor;CIS)两大类。其中，由于CMOS影像感测元件具有低操作电压、低功率消耗与高操作效率、可根据需要进行随机存取(random access)等因素，并且可以整合于目前的半导体技术来大量制造，因此受到极广泛的应用。

发明内容

根据一实施例，提供一种半导体结构，其包括一装置基板、一导电薄膜、一介电薄膜与一导电插塞。装置基板包括一半导体基板与一导电结构。导电结构配置在半导体基板的一主动面上。装置基板具有一基板开口穿过半导体基板并露出导电结构。导电薄膜、介电薄膜与导电插塞配置在基板开口中。介电薄膜介于导电薄膜与导电插塞之间。

根据一实施例，提供一种半导体结构的制造方法，其包括以下步骤。提供一装置基板，其包括一半导体基板与一导电结构。导电结构配置在半导体基板的一主动面上。于装置基板中形成一基板开口穿过半导体基板并露出导电结构。形成一导电薄膜于基板开口中。形成一介电薄膜于基板开口中。形成一导电插塞于基板开口中。介电薄膜介于导电薄膜与导电插塞之间。

附图说明

图1至图7绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法。

符号说明

102：装置基板

104：半导体基板

106：主动面

108：导电结构

110：介电结构

112：隔离结构

114：接触垫

116：内连接层

118：介电膜

120：载板

122：背面

124：抗反射层

126：沟槽

128：介电层

130：导电薄膜

132：介电薄膜

134：通孔

136：基板开口

138：导电材料

140：导电插塞

142：导电垫

144：遮蔽图案

具体实施方式

图1至图7绘示根据一实施例的半导体结构的制造方法，其例如为背发光(backside illuminated;BSI)CMOS影像感测器(CIS)的制造流程。