[发明专利]硅通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310572268.8 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN104637866A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;许颂临;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陶金龙 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅通孔刻蚀方法，其中包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，其特征在于：所述侧壁沉积步骤的执行时间不超过相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间，且所述侧壁沉积步骤的执行时间逐次减少。
2.根据权利要求1所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的执行时间保持不变。
3.根据权利要求2所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的单次执行时间为1～5s，相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间为1～5s。
4.根据权利要求3所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的执行时间和相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间相等。
5.根据权利要求1所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤的执行时间不小于相邻两次刻蚀步骤执行的间隔时间的50%。
6.根据权利要求5所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤的执行时间≥0.5s。
7.根据权利要求1所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤的执行时间线性均匀的逐次减少，或以任意非线性规律逐次减少，或无规律逐次减少。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤通入的刻蚀气体包括SF6，所述侧壁沉积步骤通入的沉积气体包括碳氟化合物气体。
9.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤通入的沉积气体包括C4F8或CF4或二者的混合气体。
10.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤和侧壁沉积步骤中，通入的刻蚀气体和沉积气体流量保持不变。
11.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的部分或全部执行时间中，通入的刻蚀气体流量线性或非线性变化。
12.根据权利要求11所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀步骤的执行过程中，通入的刻蚀气体流量呈正弦或高斯曲线变化。
13.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤的部分或全部执行时间中，通入的沉积气体流量线性或非线性变化。
14.根据权利要求13所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于，所述侧壁沉积步骤的执行过程中，通入的沉积气体流量呈正弦或高斯曲线变化。
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