[发明专利]与非门电路、显示器背板和显示器有效

专利信息
申请号: 201310573352.1 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN103560782A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 吴仲远;宋丹娜;段立业 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;G09G3/20
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;安利霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 与非门 电路 显示器 背板
【权利要求书】:

1.一种与非门电路,包括至少两输入晶体管,每个所述输入晶体管的栅极接入一输入信号,第一输入晶体管的第一极和与非门输出端连接,最后一输入晶体管的第二极接入第一电平;除了最后一输入晶体管之外,每一输入晶体管的第二极与下一输入晶体管的第一极连接;

其特征在于,所述与非门电路还包括至少两个上拉模块和至少两输入控制晶体管;

每一所述输入控制晶体管,栅极分别接入一所述输入信号,第一极分别与一所述上拉模块的控制端连接,第二极接入所述第一电平;

每一所述输入晶体管的第一极通过该上拉模块与第二电平输出端连接;

所述输入控制晶体管用于当其栅极接入的输入信号为第二电平时,控制使得与该输入晶体管的第一极连接的上拉模块的控制端的电位为第一电平;

所述至少两个上拉模块,用于当所有的所述输入信号都为第二电平时,断开所述第二电平输出端与所述与非门输出端之间的连接,并用于当所有的所述输入信号不都为第二电平时,导通所述第二电平输出端与所述与非门输出端之间的连接。

2.如权利要求1所述的与非门电路,其特征在于,所述至少两输入晶体管和所述至少两输入控制晶体管都为耗尽型NMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的与非门电路,其特征在于,所述至少两输入晶体管和所述至少两输入控制晶体管都为耗尽型PMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的与非门电路,其特征在于,所述上拉模块包括第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和存储电容,其中,

所述第二上拉晶体管的栅极为该上拉模块的控制端;

所述第一上拉晶体管,栅极与所述第二电平输出端连接,第一极与所述第一上拉晶体管的栅极连接,第二极与所述第二上拉晶体管的栅极连接;

所述第二上拉晶体管,第一极与所述第二电平输出端连接,第二极与所述与非门输出端连接;

所述存储电容,连接于所述第二上拉晶体管的栅极和所述第二上拉晶体管的第二极之间。

5.如权利要求4所述的与非门电路,其特征在于,当所述输入晶体管和所述输入控制晶体管为耗尽型NMOS晶体管时,第一上拉晶体管和第二上拉晶体管都为耗尽型NMOS晶体管。

6.如权利要求4所述的与非门电路,其特征在于,当所述输入晶体管和所述输入控制晶体管为耗尽型PMOS晶体管时,第一上拉晶体管和第二上拉晶体管都为耗尽型PMOS晶体管。

7.一种显示器背板,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一权利要求所述的与非门电路。

8.一种显示器,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示器背板。

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