[发明专利]静电放电保护装置和用于制造静电放电保护装置的方法

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，包括：

基板；

电极，所述电极被设置成在所述基板上彼此间隔开；以及

静电放电吸收层，所述静电放电吸收层具有形成在所述基板上的不规则金属块状体。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，每个所述金属块状体由选自由钯（Pd）、铑（Rh）、银（Ag）、金（Au）、钴（Co）、镍（Ni）和铜（Cu）组成的组中的任何一种金属制成。

3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，进一步包括覆盖所述基板和所述电极的绝缘层，其中，所述金属块状体沿着所述基板与所述绝缘层之间的界面形成。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述金属块状体无规律地分布在所述基板和所述电极上。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述金属块状体具有50nm至1μm的宽度。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述金属块状体的占用面积为相对于所述基板5%至85%。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中，所述金属块状体是通过在覆盖所述基板的金属薄膜上进行热处理形成的生成物。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，进一步包括覆盖所述电极的绝缘层，其中，所述绝缘层由树脂类材料制成。

9.一种用于制造静电放电保护装置的方法，所述方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成被设置为彼此间隔开的电极；

形成覆盖所述基板的金属薄膜；和

热处理所述金属薄膜以将所述金属薄膜转变成不规则金属块状体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述金属薄膜期间，进行溅射处理、电子束蒸发处理、热蒸发处理、激光分子束外延（L-MBE）处理和脉冲激光沉积（PLD）中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属薄膜形成为具有10nm至200nm的厚度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属薄膜的所述热处理包括在300℃至500℃的温度下加热所述金属薄膜。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，进行所述金属薄膜的所述热处理以使所述金属块状体具有50nm至1μm的宽度。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，进行所述金属薄膜的所述热处理以使所述金属块状体的占用面积为相对于所述基板5%至85%。