[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310577006.0 | 申请日: | 2013-11-18 |
公开(公告)号: | CN104183257B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 尹荣俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C29/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
一种半导体装置,包括:输入缓冲器,被配置成缓冲经由数据输入/输出焊盘输入的数据;数据输入控制单元,被配置成响应于写入时钟而将输入缓冲器的输出传送至数据输入/输出线;测试循环控制单元,被配置成响应于测试模式信号而将数据输入/输出线的信号和测试锁存数据中之一输出;数据输出控制单元,被配置成响应于读取时钟而输出测试循环控制单元的输出;输出反相选择单元,被配置成通过将或不将数据输出控制单元的输出信号反相来输出数据输出控制单元的输出信号;以及输出缓冲器,被配置成缓冲输出反相选择单元的输出信号、并且将所得的信号输出至将数据输入/输出焊盘与输入缓冲器电耦接的节点。
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年5月23日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0058203的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例涉及一种半导体集成电路,更具体而言,涉及一种半导体装置。
背景技术
一般的半导体装置被配置成储存输入的数据,并输出储存的数据。
正在研发半导体装置以增加数据储存容量和数据输入/输出操作的速度。
半导体装置具有用于将数据输入至外部设备(例如,控制器)和从外部设备输出数据的焊盘。为此,为了增加半导体装置的数据输入/输出操作的速度,即为了每次向/从半导体装置输入/输出大量的数据,可以增加焊盘的数目。
然而,随着半导体装置中用于数据的输入/输出的焊盘的数目增加,用于测试半导体装置所需的时间也变长。原因在于,由于用于将测试设备与半导体装置电耦接的线的数目有限,所以在分配给每个半导体装置连接的线的数目增加的情况下,每次能被测试的半导体装置的数目也增加。
发明内容
本文描述了一种半导体装置,其能持续保持测试时间,而与用于数据的输入/输出的焊盘的数目无关。
在本发明的一个实施例中,一种半导体装置包括:输入缓冲器,被配置成缓冲经由数据输入/输出焊盘输入的数据;数据输入控制单元,被配置成响应于写入时钟而将输入缓冲器的输出传送至数据输入/输出线;测试循环控制单元,被配置成响应于测试模式信号而输出数据输入/输出线的信号和测试锁存数据中之一;数据输出控制单元,被配置成响应于读取时钟而输出测试循环控制单元的输出;输出反相选择单元,被配置成通过将或不将数据输出控制单元的输出信号反相来输出数据输出控制单元的输出信号;以及输出缓冲器,被配置成缓冲输出反相选择单元的输出信号、并且将所得的信号输出至将数据输入/输出焊盘和输入缓冲器电耦接的节点。
在本发明的一个实施例中,一种半导体装置包括:第一数据输入/输出控制块,其包括第一输入缓冲器、第一数据输入控制单元、第一输入反相选择单元、第一测试数据输入/输出控制单元、第一测试循环控制单元、第一数据输出控制单元、第一输出反相选择单元以及第一输出缓冲器;以及第二数据输入/输出控制块,其包括第二输入缓冲器、第二数据输入控制单元、第二输入反相选择单元、第二测试数据输入/输出控制单元、第二测试循环控制单元、第二数据输出控制单元、第二输出反相选择单元以及第二输出缓冲器,其中,在测试模式下,第一测试数据输入/输出控制单元锁存测试数据并且输出第一测试锁存数据,以及第一测试锁存数据通过经由第一测试循环控制单元、第一数据输出控制单元、第一输出反相选择单元、第一输出缓冲器、第一输入缓冲器、以及第一输入反相选择单元循环而被第一测试数据输入/输出控制单元再次锁存,并且其中,在测试模式中,第二测试数据输入/输出控制单元锁存第一测试锁存数据,并输出第二测试锁存数据,以及第二测试锁存数据通过经由第二测试循环控制单元、第二数据输出控制单元、第二输出反相选择单元、第二输出缓冲器、第二输入缓冲器以及第二输入反相选择单元循环而被第二测试数据输入/输出控制单元再次锁存。
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