[发明专利]LED芯片制作方法以及LED芯片有效
| 申请号： | 201310577802.4 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103633198A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 徐琦;郑远志;李晓莹;陈向东;康建 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 制作方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：
采用晶片制作带有切割过道的图形化衬底；
在所述带有切割过道的图形化衬底上生长外延层；
对所述生长完外延层的晶片进行刻蚀，制作LED芯片，其中，刻蚀过程中保留所述切割过道对应的区域的至少一部分不进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用晶片制作带有切割过道的图形化衬底，包括：
在蓝宝石平片衬底上利用光阻显影技术制作出留有芯片切割过道的图形化光阻；
蒸镀薄膜，并将其剥离后留下待刻蚀金属掩膜，所述薄膜包括以下金属薄膜中的一个：铬薄膜、镍薄膜、金薄膜、钛薄膜、或铝薄膜；
在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀金属掩膜的厚度为1000-5000A。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底，包括：
参照金属与衬底材料的选择比，采用ICP等离子刻蚀技术，在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底。
5.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如权利要求1～4中任一项所述的方法制得。
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