[发明专利]LED芯片制作方法以及LED芯片

说明书

技术领域

本发明涉及芯片技术，尤其涉及一种LED芯片制作方法以及LED芯片。

背景技术

随着发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)技术的发展，LED可以作为节能型照明光源，取代原有低光效的白炽灯和有汞污染的荧光灯。随着LED技术的逐渐成熟和产业化市场化的需要，对LED器件的发光效率及其他性能也有了更加严格的要求。

随着LED外延生长技术与芯片制成技术的不断发展和进步。业内人士为了提高芯片亮度在衬底、外延、芯片制程、封装等各个环节寻找突破口以提升LED器件的性能。其中蓝宝石衬底作为LED外延生长的衬底已经广泛被业界使用进入产业化，在其基础上研发的图形化衬底（Patterned Sapphire Substrate，简称：PSS）技术以其改善晶体生长质量，在增加半导体器件光通量方面具有优势；与此同时，业界提出的缩减切割道面积保留芯片有源区的技术方案对于芯片的提亮效果也相当明显。

但是，上述两种技术仅能单独使用，若将其进行结合，即，在PSS图形化衬底上去使用缩减切割道技术制造出来的芯片反向击穿电压大幅下降，漏电严重，导致芯片的无法满足器件的基本要求，根本无法达到进一步提高发光效率的效果。

发明内容

本发明提供一种LED芯片制作方法以及LED芯片，进一步提高LED芯片的发光效率。

本发明提供一种LED芯片制作方法，包括：

采用晶片制作带有切割过道的图形化衬底；

在所述带有切割过道的图形化衬底上生长外延层；

对所述生长完外延层的晶片进行刻蚀，制作LED芯片，其中，刻蚀过程中保留所述切割过道对应的区域的至少一部分不进行刻蚀。

进一步地，所述采用晶片制作带有切割过道的图形化衬底，包括：

在蓝宝石平片衬底上利用光阻显影技术制作出留有芯片切割过道的图形化光阻；

蒸镀薄膜，并将其剥离后留下待刻蚀金属掩膜，所述薄膜包括以下金属薄膜中的一个：铬薄膜、镍薄膜、金薄膜、钛薄膜、或铝薄膜；

在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底。

进一步地，所述待刻蚀金属掩膜的厚度为1000-5000A。

进一步地，所述在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底，包括：

参照金属与衬底材料的选择比，采用ICP等离子刻蚀技术，在所述待刻蚀金属掩膜上刻蚀出带有切割过道的周期性图形化衬底。

本发明实施例还提供一种LED芯片，所述LED芯片本发明提供的LED芯片制作方法制得。

本发明提供的LED芯片制作方法和LED芯片，通过在图形化衬底的制作过程中，预留出与要制作芯片型号相匹配的切割过道，从而在对生长了外延层的晶片进行刻蚀过程中，能够缩减对切割过道的刻蚀，从而能够将图形化衬底技术与缩减切割过道的技术相结合，采用这种方法制作的芯片，能够在保证芯片基本性能的前提下，提高LED芯片的亮度。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的LED芯片制作方法；

图2为带有切割过道的图形化衬底的结构示意图；

图3为本发明图1所示实施例中步骤101的具体方法流程图；

图4为本发明提供的LED芯片的结构示意图。

具体实施方式

由于PSS技术在改善晶体生长质量、增加半导体器件光通量方面具有优势；缩减切割道面积保留芯片有源区的技术对于芯片的提亮效果也相当明显。但是，上述两种技术同时使用时，即，在PSS图形化衬底上去使用缩减切割道技术制造出来的芯片反向击穿电压大幅下降，漏电严重，导致芯片的无法满足器件的基本要求，根本无法达到进一步提高发光效率的效果。

针对该问题，本发明提出了一种技术方案将缩减切割道技术引入图形化衬底使两种技术结合的同时不会造成上述的器件参数不良，制作出来的芯片相较传统芯片亮度上也有明显提升。

图1为本发明实施例一提供的LED芯片制作方法，如图1所示，本实施例的方法可以包括：

步骤101、采用晶片制作带有切割过道的图形化衬底。

所述切割过道与要制作芯片型号相匹配。

具体地，所述晶片的材质可以为蓝宝石、硅、碳化硅、或碳化镓中的一种，当采用蓝宝石的晶片作为衬底时，蓝宝石衬底的规格可以在1英寸-64英寸之间。