[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 201310578957.X | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104658639A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的In2-xDxO3层及L2O3层，其中，所述D选自Sn，Ti和Zr中至少一种，所述L2O3选自Eu2O3，Sm2O3，Y2O3，Gd2O3和Nd2O3中至少一种，X为0.005～0.15。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述In2-xDxO3层的厚度为50nm～300nm，所述L2O3层的厚度为0.5nm～10nm。
3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将In2-xDxO3靶材及L2O3靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa，所述D选自Sn，Ti和Zr中至少一种，所述L2O3选自Eu2O3，Sm2O3，Y2O3，Gd2O3和Nd2O3中至少一种，X为0.005～0.15；
在所述衬底表面溅镀In2-xDxO3层，溅镀所述In2-xDxO3层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；
在所述In2-xDxO3层表面溅镀L2O3层，溅镀所述L2O3层的工艺参数为：蒸镀温度为900℃～1200℃，蒸镀速率为0.3nm/s～5nm/s；及
剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述In2-xDxO3靶材由以下步骤得到：将In2O3和DO2粉体按照摩尔比为(0.995～0.85)：(0.005～0.15)混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材，其中DO2为SnO2，TiO2和ZrO2中至少一种。
5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的In2-xDxO3层及L2O3层，其中，所述D选自Sn，Ti和Zr中至少一种，所述L2O3选自Eu2O3，Sm2O3，Y2O3，Gd2O3和Nd2O3中至少一种，X为0.005～0.15。
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