[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

导电薄膜电极是有机电致发光器件（OLED）的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜阴极具有较低的表面功函数。目前OLED常用的阴极材料是银和铝金属，其表面功函数4.5～4.7eV，增加了氟化锂后可降低到4.2eV，但是大多数有机发光材料的LUMO能级在3.0eV以下，二者之间还有较大的势垒，不利于器件发光效率的提高。

发明内容

基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。

一种导电薄膜，包括层叠的In_2-xD_xO₃层及L₂O₃层，其中，所述D选自Sn，Ti和Zr中至少一种，所述L₂O₃选自Eu₂O₃，Sm₂O₃，Y₂O₃，Gd₂O₃和Nd₂O₃中至少一种，X为0.005～0.15。

所述In_2-xD_xO₃层的厚度为50nm～300nm，所述L₂O₃层的厚度为0.5nm～10nm。

一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将In_2-xD_xO₃靶材及L₂O₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，所述D选自Sn，Ti和Zr中至少一种，所述L₂O₃选自Eu₂O₃，Sm₂O₃，Y₂O₃，Gd₂O₃和Nd₂O₃中至少一种，X为0.005～0.15；

在所述衬底表面溅镀In_2-xD_xO₃层，溅镀所述In_2-xD_xO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述In_2-xD_xO₃层表面溅镀L₂O₃层，溅镀所述L₂O₃层的工艺参数为：蒸镀温度为900℃～1200℃，蒸镀速率为0.3nm/s～5nm/s；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

所述In_2-xD_xO₃靶材由以下步骤得到：将In₂O₃和DO₂粉体按照摩尔比为(0.995～0.85)：(0.005～0.15)混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材，其中DO₂为SnO₂，TiO₂和ZrO₂中至少一种。