[发明专利]发光二极管装置及其发光二极管灯具在审
申请号: | 201310585126.5 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104576629A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 郭家彰;林苏宏;田运宜 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/60;F21S2/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 及其 灯具 | ||
1.一种发光二极管装置,其特征在于,包含:
一透明基板,该透明基板包含相对的一第一表面与一第二表面,该第一表面分布有一第一反射区、一第二反射区、及一位于该第一反射区和该第二反射区以外区域的透明区;
一第一反射层与一第二反射层,该第一反射层设置于该第一反射区,该第二反射层设置于该第二反射区;
一第一发光二极管芯片与一第二发光二极管芯片,该第一发光二极管芯片设置于该第一反射层上,该第二发光二极管芯片设置于该第二反射层上,该第一发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于该第一反射区内且小于该第一反射区,该第二发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于该第二反射区内且小于该第二反射区,且该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片彼此电性连接;
一正电极与一负电极,位于该透明基板的一端,且该正电极电性连接至该第一发光二极管芯片,该负电极电性连接至该第二发光二极管芯片;以及
一波长转换层,至少覆盖该第一反射层、该第二反射层、该第一发光二极管芯片与该第二发光二极管芯片;
其中,该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过该第一反射层和第二反射层反射至该波长转换层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一反射层与该第二反射层彼此隔离。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一反射层与该第二反射层的材质为金属。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一发光二极管芯片为一第一高压发光二极管芯片,该第二发光二极管芯片为一第二高压发光二极管芯片。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一发光二极管芯片和该第二发光二极管芯片侧面所发出的光线与其所对应的该第一反射层和该第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
6.一种发光二极管装置,其特征在于,包含:
一透明基板,该透明基板包含相对的一第一表面与一第二表面,该第一表面包括一由N个第一反射区依序排列而成的第一列、一由N个第二反射区依序排列而成的第二列、及一位于该第一列和该第二列以外区域的透明区;
N个第一反射层,设置于所述第一反射区;
N个第二反射层,设置于所述第二反射区;
N个第一发光二极管芯片,分别对应设置于每一所述第一反射层上,所述第一发光二极管芯片彼此电性连接,且每一所述第一发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于其所在的该第一反射区内且小于该第一反射区;
N个第二发光二极管芯片,分别对应设置于每一所述第二反射层上,所述第二发光二极管芯片彼此电性连接,且每一所述第二发光二极管芯片在该透明基板上的正投影是位于其所在的该第二反射区内且小于该第二反射区;
一正电极与一负电极,位于该透明基板的一端,且该正电极电性连接至该第一列中的第一个第一发光二极管芯片,该负电极电性连接至该第二列中的第一个第二发光二极管芯片,且该第一列中的第N个第一发光二极管芯片与该第二列中的第N个第二发光二极管芯片彼此电性连接;以及
一波长转换层,至少覆盖所述第一反射层、所述第二反射层、所述第一发光二极管芯片与所述第二发光二极管芯片;
其中,所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过所述第一反射层和所述第二反射层反射至该波长转换层;
其中,N为大于1的自然数。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置,其特征在于,所述第一反射层与所述第二反射层彼此隔离。
8.根据权利要求7所述的发光二极管装置,其特征在于,所述第一反射层与所述第二反射层的材质为金属。
9.根据权利要求6所述的发光二极管装置,其特征在于,每一所述第一发光二极管芯片和每一所述第二发光二极管芯片侧面所发出的光线与所对应的每一所述第一反射层和每一所述第二反射层相夹的最小角度介于17度到50度之间。
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