[发明专利]发光二极管装置及其发光二极管灯具在审

专利信息
申请号: 201310585126.5 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN104576629A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 郭家彰;林苏宏;田运宜 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/60;F21S2/00;F21Y101/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置 及其 灯具
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种发光装置,更特别为一种发光二极管装置及其发光二极管灯具。

背景技术

目前,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)灯泡因具低耗节能的优点,所以已逐渐取代传统钨丝发热灯泡而被广泛使用。然,已知的LED灯泡通常其LED发光单元皆朝向前端布置为主,使得光源都集中投射于前端的同一方向,集中照射的效果虽不错,但却使灯泡四周光线亮度不均,整体照明效果较差。

为了增加LED灯泡四周的亮度,遂发展出一种具有高发光角度的LED灯条插设入LED散热座上的插槽中,使LED灯条竖立在LED灯泡的散热座上,借以增加四周的光线亮度。然而,此种LED灯条需在LED基板的正反面、与四周侧面涂布荧光胶层,使LED灯条的正反面、侧面都能发出白光,因此耗费许多的荧光胶而有成本过高的问题。

发明内容

本发明的一目的就是在提供一种发光二极管装置及其发光二极管灯具,以解决现有技术的问题。

根据本发明的一实施例,是提供一种发光二极管装置,包含透明基板、第一反射层、第二反射层、第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片、正电极与负电极以及波长转换层。透明基板包含相对的第一表面与第二表面,第一表面分布有第一反射区、第二反射区以及位于第一反射区和第二反射区以外区域的透明区。第一反射层设置于第一反射区,第二反射层设置于第二反射区。第一发光二极管芯片设置于第一反射层上,第二发光二极管芯片设置于第二反射层上,第一发光二极管芯片在透明基板上的正投影位于第一反射区内且小于第一反射区,第二发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于第二反射区内且小于第二反射区,且第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片彼此电性连接。正电极与负电极位于透明基板的一端,且正电极电性连接至第一发光二极管芯片,负电极电性连接至第二发光二极管芯片。波长转换层至少覆盖第一反射层、第二反射层、第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片。其中,第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。

根据本发明的另一实施例,提出一种发光二极管装置,其包含一透明基板、N个第一反射层、N个第二反射层、N个第一发光二极管、N个第二发光二极管、一正电极与一负电极以及一波长转换层,其中N为大于1的自然数。透明基板包含相对的第一表面与第二表面,第一表面包含由N个第一反射区依序排列而成的第一列、由N个第二反射区依序排列而成的第二列以及位于第一列和第二列以外区域的透明区。N个第一反射层和N个第二反射层,N个第一反射层分别设置于N个第一反射区,N个第二反射层分别设置于N个第二反射区。N个第一发光二极管芯片分别对应设置于每一个第一反射层上,各第一发光二极管芯片彼此电性连接,且每一第一发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于其所在的第一反射区内且小于第一反射区。N个第二发光二极管芯片分别对应设置于每一个第二反射层上,各发光二极管芯片彼此电性连接,且每一第二发光二极管芯片在透明基板上的正投影是位于其所在的第二反射区内且小于第二反射区。正电极与负电极位于透明基板的一端且正电极电性连接至第一列中的第一个第一发光二极管芯片,负电极电性连接至第二列中的第一个发光二极管芯片,且第一列中的第N个第一发光二极管芯片与第二列中的第N个第二发光二极管芯片彼此电性连接。波长转换层至少覆盖各第一、第二反射层与各第一、第二发光二极管芯片。其中,各第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发出的部分光线分别通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。

根据本发明的再一实施例,提出一种发光二极管装置,其包含透明基板、N个第一反射层、N个第二反射层、N个发光二极管芯片、正电极与负电极以及波长转换层,其中N为大于1的自然数。透明基板包含相对的第一表面与第二表面,第一表面包含由分布有N个第一反射区依序排列而成的第一列、由N个第二反射区依序排列而成的第二列、及位于第一列和第二列以外区域的透明区。N个第一反射层分别设置于各个第一反射区,N个第二反射层分别设置于各个第二反射区,且各第一反射层彼此电性连接,各第二反射层彼此电性连接,且第i个第一反射层与第i个第二反射层位置对齐,其中i为自然数且1≦i≦N。第i个发光二极管芯片以覆晶方式跨接于第i个第一反射层与第i个第二反射层上。正电极与负电极位于透明基板的一端且正电极电性连接至与第一列中的第一个第一反射层,负电极电性连接至第二列中的第一个第二反射层。波长转换层至少覆盖各第一反射层、各第二反射层以及各发光二极管芯片。其中,各发光二极管芯片发出的光线部分通过第一反射层和第二反射层反射至波长转换层。

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