[发明专利]包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件组件，包括：

芯片载体；

半导体管芯，包括半导体部分和传导结构；

焊接层，在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构，其中

在焊接侧，沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离大于中央表面部分到芯片载体的距离，并且

传导结构覆盖中央表面部分以及中间表面部分的至少区段，所述中间表面部分相对于中央表面部分倾斜并且连接中央表面部分和最外侧表面部分，其中所述传导结构至少包括第一金属子层和由第二不同传导材料提供的第二子层，其中所述第一金属子层形成对铜离子和原子来说不能透过的阻挡层，其中所述第一金属子层位于所述中央表面部分和所述第二子层之间并且还覆盖所述最外侧表面部分，并且所述第二子层位于所述第一金属子层和所述焊接层之间，并且所述第二子层沿着中央表面部分以及中间表面部分的至少部分存在而沿着最外侧表面部分不存在。

2.根据权利要求1的半导体器件组件，其中

中央表面部分到芯片载体具有第一距离，并且最外侧表面部分到芯片载体具有第二距离，并且第一距离和第二距离之差是至少10μm。

3.根据权利要求1的半导体器件组件，其中

中央表面部分和最外侧表面部分是平行的。

4.根据权利要求1的半导体器件组件，其中

在最外侧表面部分上不存在传导结构。

5.根据权利要求1的半导体器件组件，其中

在中间表面部分的未被传导结构覆盖的区段上提供保护层。

6.根据权利要求5的半导体器件组件，其中

所述保护层是自然半导体氧化物。

7.根据权利要求1的半导体器件组件，其中

传导结构被提供在中间表面部分和最外侧表面部分上。

8.一种半导体晶片，包括:

半导体管芯，布置在基体中，其中每个半导体管芯在半导体晶片的后侧处的中央管芯表面上包括传导结构；和

切口部分，机械连接半导体管芯并且形成矩形网格，其中半导体管芯布置在网孔中，其中

晶格状的分离沟槽从中央管芯表面之间的所述后侧延伸到半导体晶片中，所述分离沟槽比切口部分宽，其中

传导结构延伸到分离沟槽中，其中每个传导结构至少包括第一金属子层和由第二不同传导材料提供的第二子层，其中所述第一金属子层形成对铜离子和原子来说不能透过的阻挡层，其中所述第一金属子层位于所述中央管芯表面和所述第二子层之间并且还覆盖所述分离沟槽的沟槽底表面，并且所述第二子层沿着中央表面部分存在而沿着分离沟槽不存在。

9.根据权利要求8的半导体晶片，其中

对于每个半导体管芯，在中间表面的至少部分上提供相应的传导结构，所述中间表面相对于中央管芯表面倾斜并且连接分离沟槽的沟槽底表面和中央管芯表面。

10.根据权利要求8的半导体晶片，其中

分离沟槽的深度是至少10μm。

11.根据权利要求8的半导体晶片，其中

分离沟槽的沟槽底表面和中央管芯表面是平行的。

12.根据权利要求8的半导体晶片，其中

对于每个半导体管芯，在相邻的沟槽底表面上不存在相应的传导结构。

13.根据权利要求12的半导体晶片，其中

在中间表面部分的未被传导结构覆盖的区段上提供保护层。

14.根据权利要求13的半导体晶片，其中

所述保护层由自然半导体氧化物形成。