[发明专利]包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法

说明书

本发明涉及包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括芯片载体以及具有半导体部分和传导结构半导体管芯。焊接层在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构。在焊接侧，沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离大于中央表面部分到芯片载体的距离。传导结构覆盖中央表面部分以及中间表面部分的至少区段，所述中间表面部分相对于中央表面部分倾斜。焊接材料被有效地防止以免于涂覆易受损坏的这样的半导体表面，并且焊接引起的污染被显著地减少。

技术领域

本发明涉及包括芯片载体的半导体器件组件、半导体晶片和制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件的制造基于半导体管芯的晶片复合物，其中从晶片前侧施加包括光刻图案化、蚀刻和沉积的工艺中的大多数。在半导体器件的功能元件已在晶片复合物中形成之后，对于像功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）之类的半导体器件，在晶片后侧表面上提供传导层。然后，可以对晶片进行锯切以获得个体半导体管芯。将具有由传导层产生的传导结构的半导体管芯的后侧表面焊接在芯片载体上，以获得可在电子电路中部署的半导体器件组件。期望制造可靠的半导体器件组件。

发明内容

根据实施例，一种半导体器件组件包括芯片载体和半导体管芯，所述半导体管芯包括半导体部分和传导结构。焊接层在半导体管芯的焊接侧机械连接和电连接芯片载体和传导结构。在焊接侧，沿半导体管芯的边缘的最外侧表面部分到芯片载体的距离比中央表面部分到芯片载体的距离更大。传导结构覆盖中央表面部分和中间表面部分的至少区段，所述中间表面部分相对于中心中央表面部分倾斜并且连接中央和最外侧表面部分。

根据另一个实施例，一种半导体晶片包括布置在基体中的半导体管芯和切口部分。每个半导体管芯在半导体晶片的后侧处中央管芯表面上包括传导结构。切口部分机械连接半导体管芯并且形成矩形网格，其中半导体管芯布置在网孔（mesh）中。在中央管芯表面之间，晶格状的分离沟槽从后侧延伸到半导体晶片中。所述分离沟槽比切口部分宽。传导结构延伸到分离沟槽中。

另一个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。从后侧表面，在半导体晶片的半导体部分中形成晶格状的分离沟槽，所述半导体部分包括布置在基体中的多个相同的半导体管芯。切口部分形成网格并且机械连接半导体管芯。分离沟槽沿切口部分延伸并且比切口部分宽。在后侧表面上为每个半导体管芯提供延伸到分离沟槽中的传导结构。沿切口部分分离半导体管芯。

另一种制造半导体器件的方法提供从后侧表面在半导体晶片的半导体部分中形成晶格状的分离沟槽，所述半导体部分包括布置在基体中的多个相同的半导体管芯。切口部分形成网格并且机械连接半导体管芯。分离沟槽沿切口部分延伸并且比切口部分宽。利用第二辅助材料填充分离沟槽的底部分。以非共形的方式沉积传导结构，其中传导结构覆盖分别由分离沟槽包围的中央管芯表面和沟槽底表面。去除所述第二辅助材料，其中在分离沟槽中剥离（lift off）传导结构。沿切口部分分离半导体管芯。

在阅读下面的详细描述并查看附图后，本领域技术人员将认识到附加特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且附图被合并到本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了本发明的实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。因为通过参考下面的详细描述，本发明的其它实施例和预期的优点变得更好理解，所以它们将被容易地了解。

图1A是根据实施例的半导体器件组件的示意横截面视图。

图1B是根据使用高粘性焊接的实施例的图1A的半导体器件组件的示意平面图。

图1C是根据使用低粘性焊接的实施例的图1A的半导体器件组件的示意平面图。

图2是根据用于图示本发明效果的比较示例的半导体器件组件的部分的示意横截面视图。