[发明专利]主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管

权利要求书

1.一种主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管，包括SOI晶圆的硅衬底（9），SOI晶圆的硅衬底（9）上方为SOI晶圆的绝缘层（8）；其特征在于：SOI晶圆的绝缘层（8）上方为单晶硅凹槽（7），单晶硅凹槽（7）的凹槽内有对单晶硅凹槽（7）、近源主控栅电极（3）和近漏辅控栅电极（4）之间起相互绝缘作用的栅极绝缘层（5），单晶硅凹槽（7）两端上方分别为源电极（1）和漏电极（2），相邻的单晶硅凹槽（7）及源电极（1）和漏电极（2）之间通过绝缘介质层（6）隔离；近源主控栅电极（3）和近漏辅控栅电极（4）这两个电极为彼此独立控制的电极，且通过栅极绝缘层（5）及绝缘介质层（6）实现彼此绝缘，其中近源主控栅电极（3）位于单晶硅凹槽（7）内临近源电极（1）的一侧，近漏辅控栅电极（4）位于单晶硅凹槽（7）内临近漏电极（2）的一侧，近源主控栅电极（3）和近漏辅控栅电极（4）这两个电极彼此呈相互平行的关系；源电极（1）和漏电极（2）分别与单晶硅凹槽（7）的两端上表面接触并形成肖特基势垒。

2.根据权利要求1所述的主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管，其特征在于：所选用的用于形成单晶硅凹槽（7）的SOI晶圆为无掺杂或杂质浓度低于10¹⁶cm^-3的SOI晶圆。

3.根据权利要求1所述的主辅栅分立控制U形沟道无掺杂场效应晶体管，其特征在于：栅极绝缘层（5）是通过对单晶硅凹槽（7）的内部通过淀积工艺生成的具有高介电常数的绝缘材料介质层，所述的具有高介电常数的绝缘材料介质层为二氧化铪、四氮化三硅或三氧化二铝。